“Ini adalah perangkat silikon karbida diskrit pertama dengan tegangan tembus 2,000V di pasaran, dengan jarak rambat 14 mm dan jarak bebas 5.4 mm,” menurut perusahaan tersebut. “Perangkat ini ideal untuk inverter rangkaian surya serta sistem penyimpanan energi dan pengisian daya kendaraan listrik.”
Paket ini berukuran panjang ~16 x 23 mm, ditambah kabel, dengan slot rambat sedalam 5.6 mm yang memisahkan kabel pembuangan dari tiga kabel lainnya.
Pilih IMYH63R100M89H maks 25A (200°C, 024A pada 1°C), yang disertakan dalam kit evaluasi untuk perangkat berikut:
Resistansi termal sambungan ke casing adalah maks 0.26K/W (tipe 0.20K/W).
Tegangan ambang gerbang antara 3.5 dan 5.5V pada 25°C – diukur pada arus pembuangan 24mA setelah pulsa gerbang 1V 20ms. Nilai umumnya adalah 4.5V, yang turun menjadi 3.6V pada 175°C. Kapasitansi masukan adalah 4.85nF.
Dioda badan diberi nilai 91A pada 25°C, turun menjadi 69A pada 100°C.
Ada empat perangkat lain dalam seri ini sejauh ini, dengan daya antara 26 dan 123A (25°C) dan 100 hingga 12mΩ.
Ini merupakan sebuah forum untuk mengevaluasi karakteristik yang tepat dari MOSFET – dengan pengujian pulsa ganda untuk menghitung kerugian switching, misalnya – dan bukan untuk membangun menjadi catu daya.
Oleh karena itu, ia hanya memiliki heatsink kecil – yang dilengkapi dengan pemanas (di belakang heatsink di foto) dan termistor untuk pengaturan suhu sebelum menerapkan pulsa uji. Semua pulsa penggerak perlu diterapkan secara eksternal – papan XMC4400 perusahaan adalah generator pulsa yang cocok, katanya.
Dioda 2kV akan mengikuti: dalam paket empat pin 'TO-247PLUS' pada kuartal ketiga tahun 2024, diikuti oleh dioda SiC 2kV dalam paket TO-247-2 pada kuartal keempat. “Dioda ini sangat cocok untuk aplikasi tenaga surya”, kata Infineon.
Halaman web:
IMYH200R024M1H 2kV SiC MOSFET
Papan demo EVAL-COOLSIC-2KVHCC