Theo công ty, “Đây là thiết bị cacbua silic rời rạc đầu tiên có điện áp đánh thủng 2,000V trên thị trường, với khoảng cách rò rỉ là 14mm và khoảng cách khe hở là 5.4mm”. “Các thiết bị này lý tưởng cho bộ biến tần chuỗi năng lượng mặt trời cũng như hệ thống lưu trữ năng lượng và sạc xe điện.”
Gói này có kích thước dài ~ 16 x 23mm, cộng với các dây dẫn, với một khe thoát nước sâu 5.6mm ngăn cách dây thoát nước với ba dây còn lại.
Chọn IMYH63R100M89H tối đa 25A (200°C, 024A ở 1°C), có tính năng trong bộ đánh giá dành cho các thiết bị này:
Điện trở nhiệt nối với vỏ tối đa là 0.26K/W (loại 0.20K/W).
Điện áp ngưỡng cổng nằm trong khoảng từ 3.5 đến 5.5V ở 25°C – được đo ở dòng xả 24mA sau xung cổng 1ms 20V. Giá trị điển hình là 4.5V, giảm xuống 3.6V ở 175°C. Điện dung đầu vào là 4.85nF.
Diode cơ thể được đánh giá ở mức 91A ở 25°C, giảm xuống 69A ở 100°C.
Cho đến nay, có bốn thiết bị khác trong dòng này, được đánh giá ở mức từ 26 đến 123A (25°C) và 100 đến 12mΩ.
Nó rất giống một bảng mạch để đánh giá các đặc tính chính xác của mosfet – ví dụ như với thử nghiệm xung kép để tính toán tổn hao chuyển mạch – chứ không phải để tích hợp vào nguồn điện.
Như vậy, nó chỉ có một tản nhiệt nhỏ – được trang bị một dàn nóng (phía sau tản nhiệt trong hình chụp) và điện trở nhiệt để cài đặt nhiệt độ trước khi áp dụng các xung thử nghiệm. Tất cả các xung truyền động cần phải được áp dụng từ bên ngoài – bo mạch XMC4400 của công ty là một bộ tạo xung phù hợp.
Tiếp theo là điốt 2kV: trong gói bốn chân 'TO-247PLUS' vào quý 2024 năm 2, tiếp theo là điốt 247kV SiC trong gói TO-2-XNUMX trong quý XNUMX. Infineon cho biết: “Những điốt này đặc biệt thích hợp cho các ứng dụng năng lượng mặt trời”.
Trang web:
IMYH200R024M1H 2kV SiC mosfet
Bảng demo EVAL-COOLSIC-2KVHCC