Infineon meluncurkan SRAM non-volatil dengan keandalan tinggi generasi kedua

Infineon Technologies telah mengumumkan bahwa mereka membuat RAM Statis non-volatile (nvSRAM) generasi kedua tersedia.

Perangkat generasi baru ini telah memenuhi syarat untuk QML-Q dan spesifikasi industri dengan keandalan tinggi untuk mendukung penyimpanan kode non-volatil dan aplikasi pencatatan data di lingkungan yang keras, termasuk aplikasi luar angkasa dan industri.

256 kb STK14C88C dan 1 Mb STK14CA8C nvSRAM memenuhi syarat dalam 32 pin 300 mil paket keramik in-line ganda untuk spesifikasi MIL-PRF-38535 QML-Q (-55 ° C hingga 125 ° C) dan untuk standar industri Infineon (-40 ° C sampai 85 ° C). Baik versi 5 V dan 3 V mendukung kode booting, pencatatan data, dan penyimpanan data kalibrasi untuk sistem dirgantara, komunikasi, dan navigasi, selain tungku industri dan sistem kontrol rel kereta api. Infineon juga menawarkan penjualan wafer untuk mendukung sistem dalam solusi paket.

“Generasi baru nvSRAM memperluas kepemimpinan Infineon dalam memori perangkap muatan,” kata Helmut Puchner, VP Fellow of Aerospace and Defense, di Infineon Technologies. “Perangkat QML-Q dan keandalan tinggi, berkualifikasi industri dalam rangkaian nvSRAM kami yang diperluas ini menunjukkan komitmen kami untuk memberikan solusi untuk lingkungan operasi yang keras yang membutuhkan memori kinerja tinggi, dengan keandalan tinggi.”

NvSRAM Infineon teknologi menggabungkan SRAM berkinerja tinggi dengan SONOS non-volatile terbaik di kelasnya teknologi. Dalam kondisi pengoperasian normal, nvSRAM bertindak mirip dengan SRAM asinkron konvensional, namun jika terjadi kegagalan daya, nvSRAM secara otomatis menyimpan salinan data SRAM ke dalam memori non-volatile, di mana data dilindungi selama lebih dari 20 tahun.