Infineon запускает второе поколение высоконадежной энергонезависимой SRAM

Infineon Technologies объявила о выпуске энергонезависимой статической ОЗУ второго поколения (nvSRAM).

Это новое поколение устройств сертифицировано по QML-Q и промышленным спецификациям высокой надежности для поддержки требовательных приложений для энергонезависимого хранения кода и регистрации данных в суровых условиях, включая аэрокосмические и промышленные приложения.

Модули NVSRAM STK256C14C емкостью 88 Кбайт и STK1CA14C объемом 8 Мбайт квалифицированы в 32-контактных двухрядных керамических корпусах на 300 мил для технических требований MIL-PRF-38535 QML-Q (от -55 ° C до 125 ° C) и промышленных стандартов Infineon (-40 От ° C до 85 ° C). Обе версии на 5 В и 3 В поддерживают загрузочный код, регистрацию и хранение данных калибровки для аэрокосмических, коммуникационных и навигационных систем, а также для промышленных печей и систем управления железной дорогой. Infineon также предлагает продажу пластин для поддержки систем в виде пакетных решений.

«Новое поколение nvSRAM расширяет лидерство Infineon в области памяти с ловушкой заряда, - сказал Хельмут Пухнер, вице-президент по аэрокосмической и оборонной промышленности Infineon Technologies. «Эти QML-Q и высоконадежные промышленные устройства в нашем расширенном семействе nvSRAM демонстрируют нашу приверженность созданию решений для суровых условий эксплуатации, требующих высокой производительности и надежности памяти».

NvSRAM от Infineon technology сочетает в себе высокопроизводительную SRAM и лучшую в своем классе энергонезависимую память SONOS technology. В нормальных условиях эксплуатации nvSRAM действует аналогично обычной асинхронной SRAM, однако в случае сбоя питания nvSRAM автоматически сохраняет копию данных SRAM в энергонезависимую память, где данные защищены более 20 лет.