Fuji 1MBi2400VD-170E merupakan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan fitur dan spesifikasi sebagai berikut: Fitur: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum: Torsi Sekrup Pemasangan: 3.5 N·m (Newton-meter)
FUJI 2MBI600VN-120-50 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang dirancang untuk aplikasi daya tinggi yang memerlukan peralihan kecepatan tinggi dan penggerak tegangan. Berikut spesifikasi dan fitur modul IGBT ini: Fitur: Aplikasi: Modul IGBT FUJI 2MBI600VN-120-50 dapat digunakan dalam berbagai aplikasi, antara lain: Rating dan Karakteristik Maksimum (pada Tc=25°C kecuali ditentukan lain):
Fuji 2MBI600VE-120 merupakan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan fitur dan kemampuan khusus yang dirancang untuk berbagai aplikasi elektronika daya. Fitur Utama: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan): Modul IGBT Fuji 2MBI600VE-120 dirancang untuk menangani aplikasi berdaya tinggi seperti penggerak motor, amplifier, catu daya, dan mesin industri. Kecepatannya yang tinggi […]
Fitur Utama FF450R12KT4: Keajaiban Elektrikal: Kecakapan Mekanis: Peringkat dan Karakteristik Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan):
Modul IGBT Fuji 1MBI600PX-120: Solusi Daya Berkinerja Tinggi untuk Beragam Aplikasi Modul IGBT Fuji 1MBI600PX-120 adalah modul daya berkinerja tinggi yang dirancang untuk berbagai aplikasi elektronika daya. Modul ini dilengkapi dengan fitur-fitur yang meningkatkan kinerja dan fleksibilitasnya. Fitur Aplikasi Peringkat dan Karakteristik Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan lain) Modul 1MBI600PX-120 menawarkan …
Fitur: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum:
FUJI 6RI75G-160 adalah modul semikonduktor daya yang dirancang untuk aplikasi industri berdaya tinggi. Berikut adalah spesifikasi dan fitur utama modul ini: Fitur Modul: Fitur Perlindungan Terpasang: Nomor Komponen Pabrikan: 6RI75G-160 Deskripsi Paket: R-XUFM-X5 Jumlah Pin: 5 Produsen: Fuji Electric Co Ltd Koneksi Kasus: Konfigurasi Terisolasi : Jembatan, 6 Elemen Elemen Dioda Bahan: Dioda Silikon […]
Modul IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 adalah modul semikonduktor daya berkinerja tinggi yang dirancang untuk menuntut aplikasi daya tinggi di berbagai bidang seperti penggerak motor, inverter, dan catu daya. Berikut adalah fitur utama, aplikasi, dan spesifikasi modul: Fitur: Karakteristik Utama: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum: Kombinasi Modul IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 dari kemampuan daya tinggi, …
Modul IGBT Infineon FZ600R65KF2 adalah komponen kuat dan berdaya tinggi yang dirancang untuk berbagai aplikasi industri, menawarkan sejumlah fitur dan spesifikasi penting: Fitur: Aplikasi: Sensor Suhu NTC Terintegrasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum: Modul IGBT Infineon FZ600R65KF2 yang tinggi kapasitas daya, teknologi canggih, dan sensor suhu internal menjadikannya pilihan yang andal dan efisien […]