Deskripsi Revisi: Toshiba MG50J6ES50 adalah modul transistor switching daya tinggi canggih yang dirancang khusus untuk aplikasi konversi daya dan kontrol motor. Sebagai bagian dari seri MG, yang terkenal dengan kinerja dan keandalannya yang unggul, MG50J6ES50 menawarkan peringkat tegangan 600V dan peringkat arus 50A. Modul ini unggul dalam meminimalkan kehilangan daya dan…
DF200AA160 adalah modul dioda daya yang dirancang dengan cermat untuk tujuan penyearah gelombang penuh tiga fase. Ini menggabungkan enam dioda yang saling berhubungan dalam konfigurasi jembatan tiga fase. Khususnya, dasar pemasangan modul diisolasi secara elektrik dari elemen semikonduktor, sehingga menyederhanakan perakitan heatsink. Modul serbaguna ini dapat secara efektif menangani arus DC keluaran…
7MBR50SA060: Modul IGBT Berkinerja Tinggi untuk Aplikasi Penggerak Motor dan Catu Daya Pendahuluan: 7MBR50SA060 berdiri sebagai modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang tangguh dalam seri S yang terkenal. Spesifikasi dan fiturnya yang mengesankan menjadikannya pilihan utama untuk aplikasi yang mencakup inverter penggerak motor, amplifier penggerak servo AC dan DC, dan daya tak terputus …
Fuji 6MBP150NA060 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan peringkat dan karakteristik maksimum tertentu. Berikut adalah spesifikasi utamanya: Peringkat Maksimum Absolut (Tc=25°C kecuali ditentukan lain):
Semikron SKKT 570/16 E merupakan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan karakteristik dan rating kelistrikan tertentu. Berikut rincian informasi yang diberikan: Karakteristik Listrik: Peringkat Suhu: Peringkat Lainnya:
Semikron SK45GH063 merupakan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang diproduksi oleh Semikron. Ini dirancang untuk berbagai aplikasi dan dilengkapi dengan fitur dan spesifikasi berikut: Fitur: Aplikasi Umum: Modul IGBT SK45GH063 biasanya digunakan dalam aplikasi berikut: Peringkat Maksimum Absolut (Tc=25°C kecuali ditentukan lain): Pemasangan: Berat:
Fuji 6MBP300KA060-01 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) berdaya tinggi yang dirancang untuk aplikasi tugas berat. Berikut adalah spesifikasi dan karakteristik modul ini: Peringkat dan Karakteristik Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan lain): Modul ini mampu menangani tingkat arus dan tegangan yang sangat tinggi, sehingga cocok untuk aplikasi seperti penggerak motor industri, [ …]
Fuji 2MBI300VB-060-50 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tangguh yang dirancang khusus untuk aplikasi peralihan daya tinggi. Berikut adalah spesifikasi rinci dari modul ini: Fitur: