Dalam bidang aplikasi industri berdaya tinggi yang bergerak cepat, modul daya IXYS MCC162-18io1 muncul sebagai pembangkit tenaga teknologi. Dibuat khusus untuk kinerja yang kuat, modul ini terdiri dari dua modul IGBT yang disusun dalam konfigurasi setengah jembatan, masing-masing memiliki peringkat 900V dan 162A yang mengesankan. Intelijen dan Perlindungan Terintegrasi: Pada intinya, modul MCC162-18io1 merangkum […]
Modul IGBT Fuji 1MBI300N-120: Fitur: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum:
8 Januari 2024 — Menurut laporan, Nvidia dan AMD akan terus memperluas pasar kecerdasan buatan (AI) pada tahun 2024, dan diperkirakan kedua perusahaan akan memesan sekitar 1.5 juta chip AI canggih dari TSMC. Laporan tersebut menyebutkan bahwa Nvidia akan merilis produk baru seperti B100 dan […]
Informasi Produk: Fitur: Pedoman Penyimpanan dan Transportasi:
Fuji 6MBP150NA060 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan peringkat dan karakteristik maksimum tertentu. Berikut adalah spesifikasi utamanya: Peringkat Maksimum Absolut (Tc=25°C kecuali ditentukan lain):
Fuji 6MBP300KA060-01 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) berdaya tinggi yang dirancang untuk aplikasi tugas berat. Berikut adalah spesifikasi dan karakteristik modul ini: Peringkat dan Karakteristik Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan lain): Modul ini mampu menangani tingkat arus dan tegangan yang sangat tinggi, sehingga cocok untuk aplikasi seperti penggerak motor industri, [ …]
Fuji 2MBI300VB-060-50 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tangguh yang dirancang khusus untuk aplikasi peralihan daya tinggi. Berikut adalah spesifikasi rinci dari modul ini: Fitur:
Fuji 6MBP150RA060-02 merupakan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan fitur spesifik dan rating maksimal. Berikut rincian spesifikasi utamanya: Fitur: Peringkat Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan lain): Modul IGBT ini cocok untuk aplikasi daya tinggi yang memerlukan peralihan efisien dan manajemen suhu.
modul Infineon FS150R06KL4_B4 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Berikut rincian spesifikasi utamanya: Spesifikasi ini penting untuk merancang dan menggunakan modul IGBT dalam berbagai aplikasi, memastikan bahwa modul beroperasi dalam batas yang aman dan ditentukan.