Renesas Electronics Corporation ha ampliato il suo beamformer 5G IC famiglia con due nuovi dispositivi mmWave a doppia polarizzazione ottimizzati per l'architettura dell'antenna 2×2 per 5G e applicazioni wireless a banda larga che forniscono le migliori prestazioni della categoria sulle bande n257, n258 e 261. I chipset trasmettitore/ricevitore (5288T5268R) altamente integrati F8 e F8 sono impostati su un piccolo contenitore BGA da 5.1 mm x 5.1 mm e offrono quella che si dice sia la più alta capacità di potenza di uscita Tx del settore in silicio, con una potenza di uscita lineare superiore a 15.5 dBm per canale. Con questa combinazione, l'azienda facilita la progettazione radio efficiente in termini di costi con un'ampia copertura del segnale per applicazioni di infrastruttura wireless, comprese stazioni base wide-area, small cell e macro, oltre a punti di accesso CPE, FWA e molte altre applicazioni.
I nuovi circuiti integrati forniscono un Dynamic Array Power (DAP) unico la tecnologia che consente un funzionamento ad alta efficienza a livelli di potenza di uscita lineare programmabili da 10 dBm fino a 16 dBm. Ciò rende i circuiti integrati di terza generazione perfetti per applicazioni wireless mobili e fisse con un'ampia gamma di richieste di potenza in uscita. Questa flessibilità consente ai clienti del settore delle comunicazioni di ridurre i tempi di progettazione riutilizzando i progetti di array di antenne su diverse applicazioni.
"La portata del segnale adeguata - o la sua mancanza - rimane la sfida più grande mentre il settore passa alle tecnologie 5G mmWave per reti wireless mobili e fisse sia urbane che suburbane", ha affermato Naveen Yanduru, vicepresidente della divisione prodotti per le comunicazioni RF di Renesas. "I nuovi circuiti integrati beamformer di Renesas sono un punto di svolta per questo mercato in evoluzione, offrendo piccole soluzioni di beamforming integrate con un'elevata potenza di uscita che consentono ai clienti delle comunicazioni di implementare stazioni base convenienti e progetti FWA per applicazioni wireless a lungo raggio".
I circuiti integrati sono inoltre dotati di varie tecnologie all'avanguardia di Renesas per migliorare le prestazioni a livello di array. La tecnologia DAP fornisce un'elegante scalabilità della potenza di uscita con un'elevata efficienza. Tecnologia ArraySense con un ampio chip sensore La rete consente agli utenti di monitorare le prestazioni dei circuiti integrati nel funzionamento dell'array e di implementare correzioni critiche in tempo reale. La tecnologia di controllo digitale avanzata RapidBeam facilita il controllo sincrono e asincrono simultaneo di diversi circuiti integrati beamformer per fornire operazioni di orientamento del raggio estremamente veloci.