Renesas Electronics Corporation ได้ขยาย 5G beamformer IC ตระกูลที่มีอุปกรณ์ mmWave แบบโพลาไรซ์คู่ใหม่สองตัวที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับสถาปัตยกรรมเสาอากาศ 2×2 สำหรับ 5G และแอพพลิเคชั่นไร้สายบรอดแบนด์ที่ให้ประสิทธิภาพที่ดีที่สุดในระดับเดียวกันที่แบนด์ n257, n258 และ 261 ชิปเซ็ตตัวส่ง/ตัวรับ (5288T5268R) F8 และ F8 ที่ผสานรวมอย่างดีนั้นติดตั้งบนแพ็คเกจ BGA ขนาดเล็ก 5.1 มม. x 5.1 มม. และนำเสนอสิ่งที่กล่าวอ้างว่าเป็นความสามารถด้านเอาต์พุต Tx สูงสุดของอุตสาหกรรมในซิลิคอน ซึ่งให้กำลังเอาต์พุตเชิงเส้นมากกว่า 15.5dBm ต่อช่อง. ด้วยการรวมกันนี้ บริษัทช่วยอำนวยความสะดวกในการออกแบบวิทยุที่ประหยัดต้นทุนด้วยการเข้าถึงสัญญาณที่ครอบคลุมสำหรับแอปพลิเคชันโครงสร้างพื้นฐานไร้สาย ซึ่งรวมถึงสถานีฐานบริเวณกว้าง เซลล์ขนาดเล็ก และมาโคร รวมทั้ง CPE, จุดเชื่อมต่อ FWA และแอปพลิเคชันอื่นๆ อีกหลายอย่าง
ไอซีใหม่มอบ Dynamic Array Power (DAP) ที่เป็นเอกลักษณ์ เทคโนโลยี ที่ช่วยให้การทำงานมีประสิทธิภาพสูงที่ระดับกำลังเอาต์พุตเชิงเส้นที่ตั้งโปรแกรมได้ตั้งแต่ 10dBm ถึง 16dBm สิ่งนี้ทำให้ไอซีรุ่นที่สามสมบูรณ์แบบสำหรับแอพพลิเคชั่นไร้สายแบบเคลื่อนที่และแบบอยู่กับที่ซึ่งมีความต้องการพลังงานเอาท์พุตที่หลากหลาย ความยืดหยุ่นนี้ช่วยให้ลูกค้าด้านการสื่อสารสามารถลดเวลาในการออกแบบโดยนำการออกแบบอาเรย์เสาอากาศมาใช้ใหม่บนแอพพลิเคชั่นที่แตกต่างกัน
Naveen Yanduru รองประธานฝ่ายผลิตภัณฑ์การสื่อสาร RF ของ Renesas กล่าวว่า "ช่วงสัญญาณที่เพียงพอหรือขาดช่วงนั้นยังคงเป็นความท้าทายที่ยิ่งใหญ่ที่สุด เนื่องจากอุตสาหกรรมเปลี่ยนไปใช้เทคโนโลยี 5G mmWave สำหรับเครือข่ายมือถือทั้งในเมืองและชานเมือง “ไอซีบีมฟอร์เมอร์ตัวใหม่ของ Renesas เป็นตัวเปลี่ยนเกมสำหรับตลาดที่กำลังพัฒนานี้ โดยนำเสนอโซลูชั่นบีมฟอร์มมิ่งแบบบูรณาการขนาดเล็กที่มีกำลังขับสูง ซึ่งช่วยให้ลูกค้าด้านการสื่อสารสามารถใช้การออกแบบสถานีฐานที่คุ้มค่าและ FWA สำหรับการใช้งานไร้สายระยะไกล”
ไอซียังมีเทคโนโลยีล้ำสมัยต่างๆ ของ Renesas เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพระดับอาร์เรย์ เทคโนโลยี DAP ให้การปรับขนาดกำลังขับที่สวยงามและมีประสิทธิภาพสูง เทคโนโลยี ArraySense พร้อม on-chip . ที่ครอบคลุม เซ็นเซอร์ เครือข่ายช่วยให้ผู้ใช้สามารถตรวจสอบประสิทธิภาพของ IC ในการทำงานของอาร์เรย์และดำเนินการแก้ไขที่สำคัญในแบบเรียลไทม์ เทคโนโลยีการควบคุมแบบดิจิตอลขั้นสูงของ RapidBeam ช่วยให้การควบคุมแบบซิงโครนัสและแบบอะซิงโครนัสพร้อมกันของไอซีบีมฟอร์เมอร์หลายตัวช่วยให้บังคับเลี้ยวด้วยลำแสงได้รวดเร็วมาก