Le aziende svelano il progetto di riferimento per alimentatori GaN da 4kW

Aggiornamento: 16 maggio 2023

Arrow Electronics, in collaborazione con Nexperia e Yageo, ha completato un progetto di riferimento per alimentatori AC/DC per sfruttare i vantaggi dell'efficienza GaN e della densità di potenza in applicazioni fino a 4kW. Il progetto di riferimento viene fornito con la documentazione di supporto completa, inclusa la distinta base.

I clienti possono incorporare il nuovo alimentatore basato su GaN direttamente nei propri prodotti e sono liberi di modificarlo se necessario. Le applicazioni tipiche includono la conversione dell'energia solare ed eolica, le apparecchiature HVAC, i robot industriali, gli sportelli automatici, le pompe per fluidi, l'automazione industriale generale e gli alimentatori, compresi gli UPS. Il suo fattore di forma compatto è eccellente anche per e-bike, utensili elettrici e apparecchiature audio professionali.

Le tre società hanno unito le loro risorse di progettazione per concettualizzare la soluzione e sviluppare lo schema con componenti di Nexperia e Yageo.

"Il nostro progetto di riferimento da 4kW è in prima linea nell'attuale tendenza di adottare transistor GaN a banda larga proibita in applicazioni superiori a 1kW", ha affermato Vitali Damasevich, direttore tecnico - Europa orientale e centro soluzioni ingegneristiche, EMEA, Arrow Electronics. “Sfruttando i più recenti FET GaN e componenti passivi personalizzati, abbiamo ottenuto un aumento significativo dell'efficienza, della densità di potenza e della miniaturizzazione dei dispositivi rispetto ai tradizionali silicio-mosfetsoluzioni basate. Oltre a fornire il progetto di riferimento, possiamo anche aiutare i clienti a sviluppare i propri alimentatori altamente efficienti, nonché integrare la soluzione nelle loro applicazioni per forma, adattamento e funzionalità ottimali”.

Per realizzare il design avanzato dell'alimentatore, il team di Arrow ha selezionato i più recenti transistor di potenza GaN GAN039-650NTB di Nexperia e ha collaborato con Yageo per sviluppare le specifiche per il trasformatore flyback e il risonante-circuito Induttore. Il FET GaN di potenza GAN039-650NTB offre parametri del dispositivo all'avanguardia, inclusi tempi di accensione/spegnimento rapidi e strettamente controllati e basso RDS(on). È alloggiato in un contenitore SMD con clip in rame termicamente efficiente con raffreddamento sul lato superiore che fornisce elevata affidabilità e basse temperature di esercizio con una gestione termica semplificata.

Il trasformatore flyback di Yageo è un design personalizzato con due uscite isolate che offrono alimentazioni ausiliarie per i circuiti integrati di controllo dell'alimentatore e i gate driver in un fattore di forma ridotto. Allo stesso modo, l'induttore LLC è appositamente progettato e fornisce una frequenza di lavoro di 500 kHz con funzionamento a 48 V voltaggio e corrente nominale 80A.

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