Arrow Electronics, en collaboration avec Nexperia et Yageo, a réalisé une conception de référence d'alimentation CA/CC pour libérer les avantages du GaN en matière d'efficacité et de densité de puissance dans les applications jusqu'à 4 kW. La conception de référence est fournie avec une documentation complète à l'appui, y compris la nomenclature.
Les clients peuvent intégrer le nouveau bloc d'alimentation à base de GaN directement dans leurs propres produits et sont libres de le modifier si nécessaire. Les applications typiques incluent la conversion de l'énergie solaire et éolienne, les équipements CVC, les robots industriels, les guichets automatiques, les pompes à fluide, l'automatisation industrielle générale et les alimentations électriques, y compris les onduleurs. Son format compact est également excellent pour les vélos électriques, les outils électriques et les équipements audio professionnels.
Les trois sociétés ont combiné leurs ressources de conception pour conceptualiser la solution et développer le schéma avec des composants de Nexperia et Yageo.
« Notre conception de référence de 4 kW est à la pointe de la tendance actuelle à adopter des transistors GaN à large bande interdite dans les applications supérieures à 1 kW », a déclaré Vitali Damasevich, directeur de l'ingénierie - Europe de l'Est et centre de solutions d'ingénierie, EMEA, Arrow Electronics. "En tirant parti des derniers FET GaN et des composants passifs personnalisés, nous avons obtenu une augmentation significative de l'efficacité, de la densité de puissance et de la miniaturisation des dispositifs par rapport au silicium traditionnel.mosfet-solutions basées sur. En plus de fournir la conception de référence, nous pouvons également aider les clients à développer leurs propres blocs d'alimentation hautement efficaces, ainsi qu'à intégrer la solution dans leurs applications pour une forme, un ajustement et une fonction optimaux.
Pour réaliser la conception avancée du bloc d'alimentation, l'équipe d'Arrow a sélectionné les derniers transistors de puissance GaN GAN039-650NTB de Nexperia et a travaillé avec Yageo pour développer des spécifications pour le transformateur flyback et le résonant.circuit Inducteur. Le FET GaN de puissance GAN039-650NTB offre des paramètres de dispositif de pointe, y compris des temps d'activation/désactivation rapides et étroitement contrôlés et un faible RDS(on). Il est logé dans un boîtier SMD à clip en cuivre thermiquement efficace avec un refroidissement par le haut qui offre une fiabilité élevée et des températures de fonctionnement basses avec une gestion thermique simplifiée.
Le transformateur flyback de Yageo est une conception personnalisée avec deux sorties isolées qui offrent des alimentations auxiliaires pour les circuits intégrés de contrôle PSU et les pilotes de grille dans un petit facteur de forme. De même, l'inductance LLC est spécialement conçue et fournit une fréquence de travail de 500 kHz avec un fonctionnement de 48 V Tension et courant nominal de 80 A.
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