FUJI 6MBP50VBA120-50 Disponibile

#6MBP50VBA120-50 FUJI6MBP50VBA120-50Nuovo IGBT MODULO (Serie V)1200 V/50 A/IPM, immagini 6MBP50VBA120-50, prezzo 6MBP50VBA120-50, fornitore #6MBP50VBA120-50
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hdrhdrhdrCaratteristiche• Protezione della temperatura fornita tramite rilevamento diretto della temperatura di giunzione degli IGBT• Bassa perdita di potenza e commutazione graduale• Compatibile con i contenitori della serie IPM-N esistenti• Prestazioni elevate ed elevata affidabilità IGBT con protezione da surriscaldamento• Maggiore affidabilità a causa di una forte diminuzione del numero di parti nel controllo integrato CircuitoValutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1200V
Tensione Gate-Emitter VGES: ± 20V
Corrente del collettore IC: 50A
Corrente di collettore Icp: 100A
Dissipazione potenza collettore Pc: 255W
Tensione collettore-emettitore VCES: 2500V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Coppia vite di montaggio 1.7 N·m