FUJI 7MBP200VEA120-50 Disponibile

#7MBP200VEA120-50 FUJI7MBP200VEA120-50 Nuovo IGBT MODULO (Serie V)1200 V/200 A/IPM, immagini 7MBP200VEA120-50, prezzo 7MBP200VEA120-50, fornitore #7MBP200VEA120-50
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E-mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/7mbp200vea120-50.html

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Caratteristiche
• Protezione termica fornita rilevando direttamente la temperatura di giunzione degli IGBT
• Bassa perdita di potenza e commutazione morbida
• Alte prestazioni e alta affidabilità IGBT con protezione da surriscaldamento
• Maggiore affidabilità a causa di una forte diminuzione del numero di parti nel controllo integrato Circuito
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1200V
Tensione Gate-Emitter VGES: ± 20V
Corrente del collettore IC: 200A
Corrente di collettore Icp: 400A
Dissipazione potenza collettore Pc: 961W
Tensione collettore-emettitore VCES: 2500V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Coppia vite di montaggio 2.5- 3.5 N·m
Peso 980g