7MBP25RA120 IGBT-Serie IPM R
Caratteristiche principali:
- La protezione della temperatura è incorporata, consentendo il rilevamento diretto della temperatura di giunzione degli IGBT.
- Perdita di potenza ridotta al minimo e caratteristiche di commutazione graduale.
- Compatibilità con i pacchetti della serie IPM-N esistenti.
- IGBT ad alte prestazioni e altamente affidabile con protezione dal surriscaldamento integrata.
- Maggiore affidabilità ottenuta riducendo il numero di componenti nel circuito di controllo integrato.
Valutazioni e caratteristiche massime:
- Valori nominali massimi assoluti (Tc=25°C se non diversamente specificato):
- Tensione collettore-emettitore (Vces): 1200V
- Tensione gate-emettitore (VGES): ±20V
- Corrente del collettore (Ic): 25A
- Picco di corrente del collettore (Icp): 50A
- Dissipazione di potenza del collettore (PC): 198 W
- Tensione collettore-emettitore (VCES): 2500V
- Temperatura operativa di giunzione (Tj): +150°C
- Temperatura di stoccaggio (Tstg): da -40 a +125°C
- Coppia di montaggio per vite M5: 3.5 Newton·metri
Questo Fuji IGBT modulo, il 7MBP25RA120-59, offre una gamma di caratteristiche e specifiche impressionanti, che lo rendono adatto a varie applicazioni nell'elettronica di potenza e nei sistemi di controllo.