SEMICONDUTTORE GENESICO MBR60045CT Disponibile

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E-mail: sales@shunlongwei.com

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Codice produttore: MBR60045CT
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Produttore Ihs: GENESIC Semiconduttore INC
Descrizione del pacchetto: R-PUFM-X2
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.10.00.80
Produttore: GeneSic Semiconduttore Inc
Grado di rischio: 5.56
Applicazione: POWER
Collegamento case: CATHODE
Configurazione: CATODO COMUNE, 2 ELEMENTI
Materiale dell'elemento diodo: SILICONE
Tipo di diodo: DIODO RADDRIZZATORE
Avanti voltaggio-Max (VF): 0.75 V.
Codice JESD-30: R-PUFM-X2
Corrente diretta non rep: max 4000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -55 ° C
Corrente di uscita massima: 300 A.
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Rip Pk Reverse voltaggio-Max: 45 V
Corrente inversa-Max: 1000 µA
Montaggio superficiale: NO
Tecnologia: SCOTTKY
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE

Raddrizzatore Schottky al silicio da 45 V 600 A in pacchetto Twin Tower