#FF600R06ME3 Infineon FF600R06ME3 Nuovo EconoDUAL™3 modulo con trincea/fieldstop IGBT³ e 3 diodi controllati da emettitore e NTC, immagini FF600R06ME3, prezzo FF600R06ME3, fornitore # FF600R06ME3
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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FF600R06ME3 Datasheet
Tensione inversa collettore-emettitore Tensione collettore-emettitore Tvj = 25 ° C VCES 600 V
Corrente di collettore CC continua Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 ° C, Tvj max = 150 ° C TC = 25 ° C, Tvj max = 150 ° C IC nom IC 600A ~ 700A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Picco ripetitivo corrente di raccolta tP = 1 ms ICRM 1200A
Potenza dissipata totale Potenza dissipata totale TC = 25 ° C, Tvj max = 150 Ptot 1650W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/- 20V
TemperaturimSchaltbetrieb Temperature underwitchingconditions Tvj op -40 ~ 125 ° C
Diodo, inverter / diodo, inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25 ° C VRRM 600 V
Corrente continua continua IF 600 A
PeriodischerSpitzenstrom Repetitive peakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 1200 A
Grenzlast valore I²t integrale VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125 ° C I²t 18000 A²s
Modulo EconoDUAL ™ 3 con trench / fieldtop IGBT³ e 3 diodi controllati da emettitore e NTC
Tensione inversa collettore-emettitore Tensione collettore-emettitore Tvj = 25 ° C VCES 600 V
Corrente di collettore CC continua Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 ° C, Tvj max = 150 ° C TC = 25 ° C, Tvj max = 150 ° C IC nom IC 600A ~ 700A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Picco ripetitivo corrente di raccolta tP = 1 ms ICRM 1200A
Potenza dissipata totale Potenza dissipata totale TC = 25 ° C, Tvj max = 150 Ptot 1650W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/- 20V
TemperaturimSchaltbetrieb Temperature underwitchingconditions Tvj op -40 ~ 125 ° C
Diodo, inverter / diodo, inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25 ° C VRRM 600 V
Corrente continua continua IF 600 A
PeriodischerSpitzenstrom Repetitive peakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 1200 A
Grenzlast valore I²t integrale VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125 ° C I²t 18000 A²s
Modulo EconoDUAL ™ 3 con trench / fieldtop IGBT³ e 3 diodi controllati da emettitore e NTC
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