#IRFR7440PBF IR IRFR7440PBF Nuovo effetto di campo di potenza Transistor, Canale N, Ossido di metallo Semiconduttore FET, immagini IRFR7440PBF, prezzo IRFR7440PBF, fornitore #IRFR7440PBF
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice articolo produttore: IRFR7440PBF
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descrizione del pacchetto:,
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Tecnologie AG
Grado di rischio: 5.32
Configurazione: singola
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 180 A
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO SEMICONDUTTORE
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Potenza Dissipazione-Max (Abs): 140 W
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: latta opaca (Sn) - con barriera in nichel (Ni)
Ora
Transistor ad effetto di campo di potenza, canale N, ossido di metallo Semiconduttore FET
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descrizione del pacchetto:,
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Tecnologie AG
Grado di rischio: 5.32
Configurazione: singola
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 180 A
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO SEMICONDUTTORE
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Potenza Dissipazione-Max (Abs): 140 W
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: latta opaca (Sn) - con barriera in nichel (Ni)
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Transistor ad effetto di campo di potenza, canale N, ossido di metallo Semiconduttore FET