#P760A06 IXYS P760A06 Nuovo diodo raddrizzatore a ponte 3 fasi 145A 1600V V (RRM) Silicio, immagini P760A06, prezzo P760A06, fornitore # P760A06
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P760A06 Caratteristiche / vantaggi:
● Pacchetto con DCB ceramic
● Miglioramento della temperatura e del ciclo di alimentazione
● Chip passivati planari
● Molto basso in avanti voltaggio cadere
● Corrente di dispersione molto bassa
● CNT
● X2PT – Punch Through Xtreme leggero di seconda generazione
● Il design robusto X2PT si traduce in:
– cortocircuito valutato per 10 μsec
– carica di gate molto bassa
– bassa EMI
– quadrato RBSOA @ 2x IC
● Wafer sottile la tecnologia combinato con il design X2PT si traduce in un basso VCE (sat) competitivo e una bassa resistenza termica
● Pacchetto con DCB ceramic
● Miglioramento della temperatura e del ciclo di alimentazione
● Chip passivati planari
● Molto basso in avanti voltaggio cadere
● Corrente di dispersione molto bassa
● CNT
● X2PT – Punch Through Xtreme leggero di seconda generazione
● Il design robusto X2PT si traduce in:
– cortocircuito valutato per 10 μsec
– carica di gate molto bassa
– bassa EMI
– quadrato RBSOA @ 2x IC
● Wafer sottile la tecnologia combinato con il design X2PT si traduce in un basso VCE (sat) competitivo e una bassa resistenza termica
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1600V
Porta-emettitore voltaggio VGES: ± 20 V.
Corrente del collettore IC: 180A
Corrente di collettore Icp: 360A
Dissipazione potenza collettore Pc: 500W
Tensione collettore-emettitore VCES: 2500V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Coppia delle viti di montaggio 3.5 * 1 N · m
Diodo raddrizzatore a ponte 3 fasi 145A 1600V V (RRM) in silicone