MOSFET a commutazione rapida di nuova generazione e moduli integrati di alimentazione a mezzo ponte

Aggiornamento: 11 maggio 2023

onsemi ha rilasciato la sua ultima generazione di dispositivi EliteSiC SiC M1200S da 3 V, che consentono ai progettisti di elettronica di potenza di ottenere la migliore efficienza della categoria e costi di sistema inferiori. Il nuovo portafoglio contiene EliteSiC mosfet e moduli che consentono velocità di commutazione più elevate per supportare le crescenti applicazioni OBC EV a 800 V e infrastrutture energetiche, come la ricarica dei veicoli elettrici, i sistemi solari e di accumulo dell'energia.

Fanno parte del portafoglio anche i nuovi dispositivi EliteSiC M3S in PIM a mezzo ponte con Rds(on) più bassi leader del settore in un pacchetto F2 standard. Destinati alle applicazioni industriali, i moduli sono ideali per gli stadi di conversione ad alta potenza DC/AC, AC/DC e DC-DC. Forniscono livelli più elevati di integrazione con design in rame direct bonding ottimizzati per facilitare la condivisione bilanciata della corrente e la distribuzione termica tra switch paralleli. I PIM sono creati per fornire un'elevata densità di potenza nelle infrastrutture energetiche, nella ricarica rapida EV DC e negli UPS.

"L'ultima generazione di prodotti EliteSiC M3S automotive e industriale di onsemi consentirà ai progettisti di ridurre l'ingombro delle applicazioni ei requisiti del sistema di raffreddamento", ha affermato Asif Jakwani, vicepresidente senior e direttore generale della divisione Advanced Power di onsemi. "Questo aiuta i progettisti a sviluppare convertitori ad alta potenza con livelli di efficienza più elevati e maggiori densità di potenza".

I dispositivi qualificati per il settore automobilistico sono progettati per OBC ad alta potenza fino a 22kW e ad altavoltaggio ai convertitori DC-DC a bassa tensione. M3S la tecnologia è stato progettato appositamente per applicazioni di commutazione ad alta velocità e dispone del FOM migliore della categoria per le perdite di commutazione.

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