onsemi ha lanzado su última generación de dispositivos EliteSiC SiC M1200S de 3 V, que permiten a los diseñadores de electrónica de potencia lograr la mejor eficiencia de su clase y reducir el costo del sistema. El nuevo portafolio contiene EliteSiC mosfets y módulos que permiten velocidades de conmutación más altas para admitir las crecientes aplicaciones de infraestructura de energía y OBC EV de 800 V, como sistemas de carga, energía solar y almacenamiento de energía EV.
También forman parte de la cartera los nuevos dispositivos EliteSiC M3S en PIM de medio puente con el Rds(on) más bajo líder en la industria en un paquete F2 estándar. Dirigidos a aplicaciones industriales, los módulos son ideales para etapas de conversión de alta potencia CC/CA, CA/CC y CC-CC. Proporcionan niveles más altos de integración con diseños optimizados de cobre de unión directa para facilitar el intercambio equilibrado de corriente y la distribución térmica entre interruptores paralelos. Los PIM se crean para ofrecer alta densidad de potencia en infraestructura energética, carga rápida de EV DC y UPS.
“La última generación de productos automotrices e industriales EliteSiC M3S de onsemi permitirá a los diseñadores reducir la huella de sus aplicaciones y los requisitos del sistema de enfriamiento”, dijo Asif Jakwani, vicepresidente senior y gerente general de la División de Energía Avanzada de onsemi. “Esto ayuda a los diseñadores a desarrollar convertidores de alta potencia con mayores niveles de eficiencia y mayores densidades de potencia”.
Los dispositivos calificados para automóviles están diseñados para OBC de alta potencia de hasta 22kW y altavoltaje hasta convertidores DC-DC de bajo voltaje. M3S la tecnología ha sido diseñado especialmente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y tiene el mejor FOM de su clase para pérdidas de conmutación.
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