#2SB1188T100Q Rohm 2SB1188T100Q Nuovi transistor bipolari - BJT PNP 32V 2A SO-89, immagini 2SB1188T100Q, prezzo 2SB1188T100Q, fornitore # 2SB1188T100Q
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Produttore: ROHM Semiconduttore
Categoria di prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS: dettagli
Stile di montaggio: SMD / SMT
Transistor Polarità: PNP
Configurazione: singola
Collettore– Emettitore voltaggio VCEO Max: - 32 V
Base da collezione voltaggio VCBO: - 40 V
Emettitore- Base voltaggio VEBO: – 5V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: - 500 mV
Corrente massima del collettore CC: - 2 A
Guadagno di larghezza di banda prodotto fT: 100 MHz
Temperatura di esercizio minima: - 55 ° C
Temperatura operativa massima: + 150 C
Guadagno di corrente CC hFE max: 390
Altezza: 1.5 mm
Lunghezza: 4.5 mm
Confezione: nastro pretagliato
Confezione: MouseReel
Confezione: bobina
Larghezza: 2.5 mm
Marca: ROHM Semiconduttore
Corrente continua del collettore: - 2 A
Collettore CC / Guadagno base hfe Min: 82
Pd - Dissipazione di potenza: 500 mW (1/2 W)
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Quantità confezione da fabbrica: 1000
Sottocategoria: Transistor
Peso unitario: 0.004603 oz
Transistor bipolari - BJT PNP 32V 2A SO-89