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Caratteristiche
iv-IGBT = 6. Fossa di generazione V-IGBT
(Fuji)
ï CAL4 = Soft switching 4. Generazione
Diodo CAL
ï Piastra base in rame isolata utilizzando DBC
la tecnologia (Incollaggio diretto del rame)
ï Maggiore capacità di ciclo di potenza
ï Con cancello integrato Resistore
ï Riconosciuto UL, file n. E63532
ï Perdite di commutazione minime con di / dt elevati
Applicazioni tipiche*
ï Convertitori di frequenza CA.
UPS
ï Elettronico saldatori
Commento
ï Temperatura dell'involucro limitata a Tc = 125 ° C
massimo
ï Consigliato in alto = -40… + 150 ° C
• Risultati di affidabilità del prodotto validi per Tj
=
150 ° C
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