21 marzo 2024 — STMicroelectronics annuncia un processo avanzato basato su FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) da 18 nm la tecnologia con memoria a cambiamento di fase incorporata (ePCM) per supportare i dispositivi di elaborazione incorporati di prossima generazione. Questa nuova tecnologia di processo, sviluppata in collaborazione da ST e Samsung Foundry, offre un balzo in avanti in termini di prestazioni e consumo energetico per le applicazioni di elaborazione integrate, consentendo allo stesso tempo dimensioni di memoria più grandi e livelli più elevati di integrazione di periferiche analogiche e digitali. Il primo microcontrollore STM32 di nuova generazione basato sulla nuova tecnologia inizierà a essere campionato presso clienti selezionati nella seconda metà del 2024, con la produzione prevista per la seconda metà del 2025.
Remi El-Ouazzane, Presidente del gruppo Microcontrollori, circuiti integrati digitali e prodotti RF di STMicroelectronics, ha dichiarato: “In qualità di innovatore leader nel settore semiconduttore Nel settore industriale, la ST è stata pioniera e ha offerto ai nostri clienti le tecnologie FD-SOI e PCM per applicazioni automobilistiche e aerospaziali. Stiamo ora facendo il passo successivo per portare i vantaggi di queste tecnologie agli sviluppatori di applicazioni industriali a partire dai nostri microcontrollori STM32 di prossima generazione”.
Rispetto alla tecnologia di memoria non volatile incorporata (eNVM) ST da 40 nm utilizzata oggi, FD-SOI da 18 nm con ePCM migliora notevolmente le principali cifre di merito:
- Rapporto prestazioni/potenza migliore di oltre il 50%.
- Densità di memoria non volatile (NVM) 2.5 volte superiore che consente memorie su chip più grandi
- Densità digitale tre volte superiore per l'integrazione di periferiche digitali come intelligenza artificiale e acceleratori grafici e funzionalità di sicurezza e protezione all'avanguardia
- Miglioramento di 3 dB nella figura di rumore per prestazioni RF migliorate negli MCU wireless
La tecnologia è in grado di funzionare a 3 V per fornire funzionalità analogiche come gestione dell'alimentazione, sistemi di ripristino, sorgenti di clock e convertitori digitali/analogici. È l'unica tecnologia inferiore a 20 nm che supporta questa capacità.
La tecnologia offre inoltre l'affidabilità richiesta per applicazioni industriali impegnative grazie al robusto funzionamento ad alta temperatura, all'indurimento delle radiazioni e alle capacità di conservazione dei dati già dimostrate nelle applicazioni automobilistiche.