Ngày 21 tháng 2024 năm 18 - STMicroelectronics công bố quy trình tiên tiến dựa trên Chất cách điện silicon đã cạn kiệt hoàn toàn XNUMXnm (FD-SOI) công nghệ với bộ nhớ thay đổi pha nhúng (ePCM) để hỗ trợ các thiết bị xử lý nhúng thế hệ tiếp theo. Công nghệ xử lý mới này do ST và Samsung Foundry đồng phát triển, mang lại bước nhảy vọt về hiệu suất và mức tiêu thụ điện năng cho các ứng dụng xử lý nhúng, đồng thời cho phép kích thước bộ nhớ lớn hơn và mức độ tích hợp cao hơn của các thiết bị ngoại vi analog và kỹ thuật số. Bộ vi điều khiển STM32 thế hệ tiếp theo đầu tiên dựa trên công nghệ mới sẽ bắt đầu lấy mẫu cho các khách hàng được chọn vào nửa cuối năm 2024 và dự kiến sản xuất vào nửa cuối năm 2025.
Remi El-Ouazzane, Chủ tịch Nhóm Vi điều khiển, IC kỹ thuật số và sản phẩm RF tại STMicroelectronics, cho biết: “Là nhà cải tiến hàng đầu trong lĩnh vực bán dẫn trong ngành, ST đã đi tiên phong và mang đến cho khách hàng các công nghệ FD-SOI và PCM cho các ứng dụng ô tô và hàng không vũ trụ. Chúng tôi hiện đang thực hiện bước tiếp theo để mang lại lợi ích của những công nghệ này cho các nhà phát triển ứng dụng công nghiệp, bắt đầu với bộ vi điều khiển STM32 thế hệ tiếp theo của chúng tôi.”
So với công nghệ bộ nhớ không biến đổi (eNVM) nhúng ST 40nm được sử dụng ngày nay, FD-SOI 18nm với ePCM cải thiện đáng kể các chỉ số quan trọng:
- Tỷ lệ hiệu suất trên công suất tốt hơn 50%
- Mật độ bộ nhớ không bay hơi (NVM) cao hơn 2.5 lần cho phép bộ nhớ trên chip lớn hơn
- Mật độ kỹ thuật số cao hơn ba lần để tích hợp các thiết bị ngoại vi kỹ thuật số như AI và bộ tăng tốc đồ họa cũng như các tính năng an toàn và bảo mật hiện đại
- Cải thiện 3dB về hệ số nhiễu để nâng cao hiệu suất RF trong MCU không dây
Công nghệ này có khả năng hoạt động ở điện áp 3V để cung cấp các tính năng tương tự như quản lý nguồn điện, hệ thống đặt lại, nguồn xung nhịp và bộ chuyển đổi kỹ thuật số/analog. Đây là công nghệ dưới 20 nm duy nhất hỗ trợ khả năng này.
Công nghệ này cũng mang lại độ tin cậy cần thiết cho các ứng dụng công nghiệp đòi hỏi khắt khe nhờ khả năng vận hành mạnh mẽ ở nhiệt độ cao, làm cứng bằng bức xạ và khả năng lưu giữ dữ liệu đã được chứng minh trong các ứng dụng ô tô.