Modulo IGBT Semikron SKiM304GD12T4D: prestazioni di potenza avanzate Il modulo IGBT Semikron SKiM304GD12T4D presenta funzionalità all'avanguardia su misura per applicazioni di potenza avanzate. Sfruttando la tecnologia Trenchgate, questo modulo offre prestazioni eccezionali in vari scenari. Il suo Vce(sat) con coefficiente di temperatura positivo garantisce un funzionamento stabile nonostante le fluttuazioni di temperatura, mentre la sua notevole capacità di cortocircuito ne aumenta la versatilità. Caratteristiche Applicazioni tipiche […]
Toshiba MG200H1AL2 è un robusto modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Ecco una panoramica concisa delle sue caratteristiche e specifiche principali: Descrizione: MG200H1AL2 è un modulo a transistor con una corrente nominale di 200 A e una tensione nominale di 450 Volt. Pesa 210 grammi (circa 0.46 libbre), […]
Il modulo IGBT Starpower GD200HFL120C2S è un dispositivo a semiconduttore di potenza ad alte prestazioni progettato per una commutazione e un controllo efficienti dell'alimentazione. Ecco i dettagli e le caratteristiche principali del modulo IGBT GD200HFL120C2S: Descrizione generale: Il modulo di potenza IGBT STARPOWER è progettato per fornire perdite di conduzione estremamente basse ed elevata robustezza al cortocircuito. È progettato su misura per applicazioni come […]
L'MDS MDS200A1600V è un modulo IGBT noto per le sue caratteristiche e specifiche che lo rendono adatto a diverse applicazioni. Ecco i dettagli: Caratteristiche: Valori nominali e caratteristiche massime: Il modulo IGBT MDS200A1600V è progettato per fornire efficienti funzionalità di commutazione e controllo dell'alimentazione. È caratterizzato dalle sue capacità di gestione dell'alta tensione e della corrente, rendendo […]
Infineon DDB6U205N16L è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) con i seguenti valori nominali e caratteristiche massime: Si prega di notare che questi valori rappresentano i valori nominali massimi assoluti per il modulo IGBT DDB6U205N16L e sono forniti per considerazioni operative e di sicurezza adeguate in varie applicazioni .
Infineon FF400R07KE4 è un modulo IGBT doppio da 650 V, 400 A prodotto da Infineon Technologies. Questo modulo è dotato della tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 insieme a un diodo controllato dall'emettitore. È progettato per applicazioni ad alta potenza che richiedono una maggiore capacità di tensione di blocco, elevata capacità di cortocircuito e prestazioni elettriche ottimali. Il modulo è alloggiato in un […]
Infineon FF400R06KE3 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Viene fornito con caratteristiche e valori nominali massimi specifici che lo rendono adatto a varie applicazioni industriali e di controllo della potenza. Ecco le specifiche e le caratteristiche principali del modulo IGBT FF400R06KE3: Valori nominali e caratteristiche massime: il modulo IGBT FF400R06KE3 […]
l'Infineon #FZ400R17KE3 è essenziale per un uso corretto e per prevenire danni o guasti. Esaminiamo ciascuna delle valutazioni e delle caratteristiche massime di questo componente:
Il Fuji 2MBI400VG-060 è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) progettato per applicazioni ad alta potenza che richiedono commutazione ad alta velocità e funzionalità di azionamento della tensione. Di seguito sono riportate le caratteristiche, le applicazioni e i valori nominali massimi di questo modulo: Caratteristiche: Applicazioni: Valori nominali massimi (Tc=25°C se non diversamente specificato):