La serie SLA36385A ha un ingombro di 5 x 9 mm e un'altezza di 9.5 mm, eppure i componenti possono gestire fino a 230 A. L'induttanza varia da 35 a 470 nH. "Il componente 35nH può gestire più di 200 A, con circa il 20% di attenuazione", ha affermato l'azienda. La resistenza può arrivare fino a 125μΩ e la frequenza operativa fino a […]
Il package, SSO10T, ha uno spazio di 10μm invece di un pad termico sul lato PCB, e circa il 95% del calore uscirà dalla parte superiore, secondo l'azienda, tipicamente verso l'alloggiamento della ECU o una piastra fredda. Si prevede che venga utilizzato con un pad di interfaccia termica per adattarsi alla tolleranza tra PCB e […]
• Consentire e accelerare i progressi della ricerca per le future generazioni di microelettronica • Supportare, costruire e collegare l'infrastruttura microelettronica dalla ricerca alla produzione • Far crescere e sostenere la forza lavoro tecnica per la ricerca e lo sviluppo microelettronico all'ecosistema manifatturiero • Creare un vivace ecosistema di innovazione microelettronica per accelerare il transizione della ricerca e sviluppo negli Stati Uniti […]
Riflettendo sui futuri progetti system-in-package che consumeranno circa 1 kW, Intel ha utilizzato un processo cmos finfet da 16 nm per creare un prototipo di convertitore buck di fase 52 che può essere integrato in tali circuiti integrati, come rivelato alla conferenza internazionale sui circuiti a stato solido di San Francisco. Il punto di carico CC-CC assorbe 2 V e può fornire 200 A (624 A […]
Chiamato AONA66916, la resistenza termica dalla giunzione alle superfici superiore e inferiore è rispettivamente di 0.5 e 0.55 C/W. "Il package DFN 5×6 con esposizione superiore condivide lo stesso ingombro del package DFN 5×6 standard di AOS, eliminando la necessità di modificare i layout PCB esistenti", ha affermato l'azienda. La resistenza è di 3.4 mΩ, il gate è valutato a ±20 V e la temperatura di giunzione massima […]
il modulo IGBT Fuji 2MBI200VB-120, una potente soluzione caratterizzata da: Ideale per varie applicazioni tra cui: 2MBI200VB-120. Moduli IGBT. MODULO IGBT (serie V). 1200 V / 200 A / 2 in un unico pacchetto
SKM200GAL1200KL di Semikron è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte ad alta potenza, realizzato appositamente per diverse applicazioni come azionamenti di motori industriali, sistemi di energia rinnovabile e applicazioni di trazione. Racchiuso nel contenitore compatto SEMITRANS 2, questo modulo presenta due transistor bipolari a gate isolato disposti in una topologia a mezzo ponte. Dal design robusto, garantisce una tensione massima collettore-emettitore di 1200V […]
Il DF200AA160 è un modulo a diodi di potenza meticolosamente progettato per lo scopo del raddrizzamento trifase a onda intera. Incorpora sei diodi interconnessi in una configurazione a ponte trifase. In particolare, la base di montaggio del modulo è isolata elettricamente dagli elementi semiconduttori, semplificando l'assemblaggio di un dissipatore di calore. Questo modulo versatile può gestire efficacemente una corrente CC in uscita di […]
MACMIC MMD200S160B è un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) con determinate caratteristiche, applicazioni e valori nominali massimi. Ecco un riepilogo delle informazioni fornite: Caratteristiche: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime (a 25°C se non diversamente specificato):