Toshiba MG100Q1ZS40 Disponibile

#MG100Q1ZS40 Toshiba MG100Q1ZS40 Nuovo 100 A/1200 V/IGBT+ DIODE / 2U, immagini MG100Q1ZS40, prezzo MG100Q1ZS40, fornitore # MG100Q1ZS40
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E-mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/mg100q1zs40.html

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Descrizione MG100Q1ZS40

GTR Moduli IGBT a canale N al silicio; MODULO IGBT TRANS N-CH 1200 V 100 A 5(2-108A3A)

MG100Q1ZS40 0.53 libbre

Target_Applicazioni

MG100Q1ZS40 può essere utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta potenza Applicazioni di controllo motore

Caratteristiche

Toshiba Semiconduttore [Modulo GTR Applicazioni di commutazione ad alta potenza IGBT a canale N in silicio Applicazioni di controllo motori]
100A / 1200V / IGBT + DIODO / 2U