Il nuovo dispositivo (TPH9R00CQ5) è specificamente progettato per l'uso in alimentatori switching ad alte prestazioni come quelli utilizzati nelle stazioni base di comunicazione e in altre applicazioni industriali.
Con V massimoDSS nominale di 150 V e gestione della corrente (ID) di 64A, il nuovo dispositivo vanta una bassissima resistenza On drain-source (RDS (ON)) di soli 9.0 mΩ (max). Si tratta di una riduzione di oltre il 40% rispetto al prodotto della generazione precedente TPH1500CNH1.
Nelle soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni che utilizzano la rettifica sincrona, le prestazioni di recupero inverso sono molto importanti.
Grazie all'inclusione di un body diode ad alta velocità, il nuovo TPH9R00CQ5 riduce la carica di recupero inverso (Qrr) di circa il 74% (a 34nC tipici) rispetto a un dispositivo esistente come il TPH9R00CQH.
Inoltre, il tempo di recupero inverso (trr) di soli 40 ns è un miglioramento di oltre il 40% rispetto ai dispositivi precedenti.
Insieme a una bassa carica di gate (Qg) di soli 44nC, questi miglioramenti contribuiscono in modo significativo alla riduzione delle perdite e all'aumento della densità di potenza in soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni ed efficienti.
Una temperatura del canale di 175ºC (max) è straordinaria per mosfet con diodo ad alta velocità e offrirà al progettista un maggiore margine termico.
Il nuovo dispositivo riduce anche i picchi di tensione creati durante la commutazione, migliorando così le caratteristiche EMI dei progetti e riducendo la necessità di filtraggio.
È alloggiato in un versatile contenitore SOP Advance(N) a montaggio superficiale che misura solo 4.9 mm x 6.1 mm x 1.0 mm.
Per supportare i progettisti, Toshiba ha sviluppato un modello G0 SPICE per una rapida verifica della funzione del circuito, oltre a modelli G2 SPICE altamente accurati, per una riproduzione accurata delle caratteristiche transitorie.
Ulteriore supporto alla progettazione è disponibile sotto forma di progetti di riferimento avanzati, ora disponibili sul sito Web di Toshiba. Questi includono un DC-DC buck-boost non isolato da 1kW convertitore, un multilivello a 3 fasi mosfetbasato su inverter e un convertitore CC-CC a ponte intero da 1kW, che utilizzano tutti il nuovo TPH9R00CQ5.
Puoi trovare maggiori informazioni sul nuovo TPH9R00CQ5 MOSFET qui: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/Semiconduttore/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQ5.html