Nexperia è entrata nel mercato dei diodi SiC ad alta potenza con l'introduzione dei diodi Schottky SiC da 650V, 10A. Una mossa strategica da parte di questo fornitore di FET GaN di potenza efficiente espande la sua altavoltaggio ampia banda proibita Semiconduttore offerta di dispositivi.
Il suo primo diodo SiC Schottky è un dispositivo di livello industriale con tensione inversa di picco ripetitiva (VRRM) di 650 V e corrente diretta continua (IF) di 10 A, destinato a consolidare prestazioni ultra elevate e alta efficienza con una bassa perdita di energia nelle applicazioni di conversione di potenza. Presentando l'ulteriore vantaggio di un contenitore reale a due pin (R2P) conforme all'alta tensione con una distanza di dispersione superiore, è offerto in una selezione di montaggio superficiale (DPAK R2P e D2PAK R2P) o a foro passante (TO-220-2, TO-247-2) dispositivi. I campioni di ingegneria sono disponibili su richiesta. L'azienda prevede di espandere continuamente il proprio portafoglio di diodi SiC, portando a un totale di 72 prodotti che funzionano a livelli di tensione di 650V e 1200V e con correnti nell'intervallo 6-20A.
In un mondo spesso attento all'energia, c'è un crescente desiderio di applicazioni ad alta potenza con un'eccellente efficienza e densità di potenza. A questo proposito, il silicio si sta rapidamente avvicinando ai suoi limiti fisici. Secondo Mark Roeloffzen, direttore generale del Bipolar Discretes Group di Nexperia: "I semiconduttori ad ampio bandgap come il nitruro di gallio e il carburo di silicio sono ora ben posizionati per soddisfare le rigorose esigenze delle applicazioni ad alto volume, offrendo la promessa di una maggiore efficienza, una maggiore densità di potenza , costi di sistema inferiori e costi operativi ridotti per i produttori di apparecchiature originali. Il portafoglio diversificato di diodi SiC di Nexperia offrirà una maggiore scelta e disponibilità a questo mercato".