Nexperia a fait son entrée sur le marché des diodes SiC haute puissance avec l'introduction des diodes Schottky SiC 650V, 10A. Une décision stratégique de ce fournisseur de FET GaN de puissance efficace étend saTension large bande interdite Semi-conducteurs offre d'appareils.
Sa première diode SiC Schottky est un dispositif de qualité industrielle avec une tension inverse de crête répétitive (VRRM) de 650 V et un courant direct continu (IF) de 10 A, destiné à consolider des performances ultra-élevées et un rendement élevé avec une faible perte d'énergie dans les applications de conversion de puissance. Présentant l'avantage supplémentaire d'un boîtier à deux broches (R2P) conforme à la haute tension avec une distance de fuite plus élevée, il est proposé dans une sélection de montage en surface (DPAK R2P et D2PAK R2P) ou traversant (TO-220-2, TO-247-2). Des échantillons techniques sont disponibles sur demande. La société prévoit d'étendre en permanence son portefeuille de diodes SiC, pour un total de 72 produits fonctionnant à des niveaux de tension de 650 V et 1200 V et avec des courants compris entre 6 et 20 A.
Dans un monde souvent soucieux de l'énergie, il existe un désir croissant d'applications à haute puissance avec une efficacité et une densité de puissance excellentes. À cet égard, le silicium approche rapidement de ses limites physiques. Selon Mark Roeloffzen, directeur général du groupe Bipolar Discretes chez Nexperia : « Les semi-conducteurs à large bande interdite comme le nitrure de gallium et le carbure de silicium sont désormais bien placés pour répondre aux besoins stricts des applications à haut volume, apportant la promesse d'une efficacité plus élevée, d'une densité de puissance plus élevée. , des coûts de système inférieurs et des coûts d'exploitation réduits pour les fabricants d'équipement d'origine. Le portefeuille diversifié de diodes SiC de Nexperia apportera un plus grand choix et une plus grande disponibilité à ce marché.