Denominato XT011, "riflette la necessità di una maggiore integrazione digitale e capacità di elaborazione all'interno delle applicazioni analogiche", ha affermato X-Fab, affermando: "Riunisce gli attributi interessanti associati sia a SoI che a DTI [isolamento profondo della trincea], in modo che l'alto- la logica digitale a densità e la funzionalità analogica possono essere incorporate più facilmente in un singolo chip rispetto al tradizionale BCD bulk. Le prestazioni termiche sono state migliorate in modo significativo – le applicazioni ad alta corrente possono essere affrontate meglio – corrispondendo a ciò che ci si aspetterebbe normalmente da un processo BCD di massa”.
La densità della libreria di celle standard è raddoppiata rispetto al suo processo BCD-on-SoI XT180 a 018 nm esistente e occupa il 35% in meno di area per il flash embedded sonos. La resistenza attiva del dispositivo a canale N può essere migliore del 25%.
Trattandosi di un processo silicio su isolante, è possibile eliminare gli effetti bipolari parassiti e il rischio di latch-up.
È possibile realizzare dispositivi che funzioneranno a temperature comprese tra -40 e 175°C e, per l'uso automobilistico, l'azienda può gestire progetti conformi a AEC-Q100 Grado 0: X-Fab punta principalmente a circuiti integrati automobilistici che includono l'elaborazione dei dati e anche a applicazioni industriali e circuiti integrati medici.
Il PDK (kit di progettazione del processo) ha IP (proprietà intellettuale) che include sram, flash basato su rom sonos ed eeprom incorporata.
La produzione avverrà presso lo stabilimento di X-Fab a Corbeil-Essonnes vicino a Parigi, con produzione in serie nella seconda metà di quest'anno.
L'azienda ha sei stabilimenti, distribuiti in Germania, Francia, Malesia e Stati Uniti, con 4,200 persone in tutto il mondo. Dispone di processi CMOS, SoI, SiC, GaN-on-Si, mems e microfluidici, in geometrie da 1µm a 110nm.
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