30 בינואר, 2024 - על פי דיווחים, יצרני שבבים רבים צפויים להתחיל בייצור המוני ביפן בשנת 2024, מה שימריץ את הצמיחה והפיתוח של היפן המקומי סמיקונדקטור שרשרת אספקה ולשפר את יכולות ייצור השבבים של יפן.
בעיר קיקויו, מחוז קוממוטו, יפן, ייצור מוליכים למחצה מתקדמים ביפן (JASM), שהושקעה על ידי TSMC, סוני וניפון דנסו, בונה כעת מוצר פרוסות בגודל 12 אינץ'. הייצור מתוכנן להסתיים ב-24 בפברואר 2024, וייצור המוני צפוי להתחיל ברבעון הרביעי של 2024. הייצור ישתמש בטכנולוגיות 12nm, 16nm, 22nm ו-28nm לייצור שבבים, ותאפשר ליפן לייצר התקדמות משמעותית בתהליך IC לוגי טֶכנוֹלוֹגִיָה, עובר מה-40nm של Renesas Electronics ל-12nm של JASM. זה נתפס כצעד הראשון באסטרטגיית תחיית המוליכים למחצה של יפן.
יצרנית זכרונות הפלאש NAND Kioxia ו-Western Digital בונות מפעל מיזם משותף בגודל 12 אינץ' ביוקאיצ'י, מחוז מי. המפעל יהיה מוכן לייצור המוני של מוצרי זיכרון פלאש 3D NAND במרץ 2024. בנוסף, מפעל משותף נוסף של KIOXIA ו-Western Digital ב-Kitakami, Iwate Prefecture, ייפתח בהמשך השנה. הפרויקט היה אמור להסתיים במקור ב-2023, אך התעכב עקב תנאי שוק גרועים.
בתגובה לביקוש הגובר למוליכים למחצה של כלי רכב חשמליים (EV), התחייבה Renesas Electronics להוציא 90 מיליארד ין כדי להתקין קו ייצור פרוסות סיליקון בגודל 12 אינץ' במפעל קיים. קו הייצור החדש יאפשר ל-Renesas Electronics להגדיל את כושר הייצור שלה של מוליכים למחצה כוח כגון IGBTs ו-MOSFETs, עם ייצור המוני מתוכנן לשנת 2024.
טושיבה וחברת הבת Kaga Toshiba Electronics בונות מפעל חדש בנומי-שי, מחוז אישיקאווה. המפעל צפוי להסתיים במרץ 2025 ויצויד בקו ייצור פרוסות מוליכים למחצה בגודל 12 אינץ' חדש של סיליקון. בנוסף, טושיבה תתחיל באינטגרציה בייצור עם מפעל מוליכים למחצה כוח סיליקון קרביד (SiC) שפותח לאחרונה של ROHM בעיר קוניטומי, מחוז מיאזאקי.
הדו"ח הצביע על כך שאחרי 2025, יופיעו עוד פקקים ביפן, כולל מפעל ייצור 1-גמא (1γ) DRAM החדש של Micron Technology במחוז הירושימה; JSMC, חברת הבת לייצור פרוסות של Power Semiconductor Manufacturing Company (PSMC), מתכננת לייצר שבבים המוני ב-2027; Rapidus מתכננת לייצר המוני שבבי 2nm בשנת 2027. בנוסף, TSMC בוחנת בניית מפעל שני ביפן. TSMC מסרה כי תכריז רשמית על מיקומו של המפעל כבר ב-6 בפברואר.