מתח מינימלי נע בין 1.5 ל 2V - ראה טבלה.
התקנים אלה התעשייתיים הראשונים מיוצרים בחבילת הרכבה על פני השטח של DPAK
"זֶה טֶכנוֹלוֹגִיָה הוא חידוש מובהק בטכנולוגיית ההגבלה הנוכחית של מכשירים", אמר סמנכ"ל ההנדסה המרכזית, ג'וזף בק. בהשוואה למכשירי ויסות זרם מסורתיים, סדרת המכשירים CDCLD מספקת למעצבים פתרון דיסקרטי לוויסות זרם שהוא כמעט בלתי תלוי בשינויי טמפרטורת הסביבה כאשר הם פועלים בטווח המצוין מתח טווח."
במקום להיות מבוסס JFET, המכשירים בנויים באמצעות MOSFET מבנה (תרשים נכון).
זה MOSFET עם שער ומקור באותו צד, ומקוצרים ליצירת קתודה של המכשיר. מסוף השער והפסיבציה של השער מחוברים בין שני מסופי מקור, והפסיבציה מתקשרת עם גוף ההתקן ואזורים מסוג p המקיפים את מסופי המקור. מסוף הניקוז נמצא בצד הנגדי של המכשיר.
פוטנציאל חיובי המיושם על מסוף הניקוז יוצר ערוץ n מסוג p בין המקורות לפסיביציה של השער, המאפשר לאלקטרונים לזרום מהמקורות, דרך סוג P לגוף המכשיר. עם כמה וולט על הניקוז, אזור הדלדול מתרחב מספיק כדי לווסת את זרימת הזרם - בשל
לגובה הערוץ יורד, ומוריד את מתח הצביטה של המכשיר.
סנטרל משווה זאת עם דיודת זרם קבוע של 350mA JFET עם מתח הגבלה של 1.9V המגיע לנומינלי שלה
זרם ב 5V. "באמצעות נתונים אלה ניתן לקבוע
שהמתח המגביל דיודה מבוססת mosfet מתרחש ב-
מתח מיושם המהווה רק 54% ממגבלת ה- JFET הנדרשת
מתח. באופן דומה, הצביטה של ה- CLD מבוסס MOSFET מתרחשת במתח מיושם שהוא רק 40% ממתח הצביטה-הנדרש של JFET.
דיודות זרם קבוע מבוסס mosfet של מרכז:
- CDCLD025 - (27.5mA, 1.5V)
- CDCLD040 - (44mA, 1.5V)
- CDCLD080 - (88mA, 1.8V)
- CDCLD100 - (115mA, 2.0V)
- CDCLD120 - (138mA, 2.0V)
- CDCLD200 - (230mA, 2.0V)
- CDCLD400 - (460mA, 2.0V)
- CDCLD500 - (575mA, 2.0V)
מתוכננות גרסאות למות חשופות.
יישומים צפויים באופן אידיאלי עבור מערכות תאורת LED תעשייתיות וצרכניות, כמו גם בדיקה ומדידה.
דף המוצר הנוכחי של דיודות מוספת המגביל נמצא כאן, והמסמך הברור והמעניין של Central על הטכנולוגיה שווה עיון.