Fuji 1DI300ZN-120 は新しいです IGBT モジュール 富士電機製。 高電力アプリケーション向けに設計されており、信頼性の高いパフォーマンスを提供します。 1DI300ZN-120 の主な機能をいくつか紹介します。 IGBT モジュール：
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高電力処理: モジュールは最大コレクタ電流を処理できます (IC) 300 A なので、要求の厳しい産業用途に適しています。
コレクター-エミッター 電圧: 最大コレクタ-エミッタを備えています。 電圧 1200 V の (VCES) により、効率的な電力スイッチングと制御が可能になります。
IGBT テクノロジー: モジュールは絶縁ゲートバイポーラを利用しています トランジスタ (IGBT) テクノロジー、両方の利点を組み合わせたもの モスフェット バイポーラトランジスタにより性能が向上します。
内蔵ダイオード: モジュールには内蔵ダイオードが組み込まれており、効率的なフリーホイールを可能にし、逆電流に対する保護を提供します。
コンパクトな設計: このモジュールはコンパクトなパッケージで設計されており、さまざまなパワー エレクトロニクス システムへの簡単な設置と統合が可能です。