Der Fuji 1DI300ZN-120 ist ein neuer IGBT Modulen hergestellt von Fuji Electric. Es ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet zuverlässige Leistung. Hier sind einige Hauptmerkmale des 1DI300ZN-120 IGBT Modul:
Vertriebs-E-Mail: sales@shunlongwei.com
Hohe Belastbarkeit: Das Modul ist in der Lage, einen maximalen Kollektorstrom zu verarbeiten (IC) von 300 A und eignet sich somit für anspruchsvolle Industrieanwendungen.
Sammler-Emitter Spannung: Es hat einen maximalen Kollektor-Emitter Spannung (VCES) von 1200 V, was eine effiziente Leistungsschaltung und -steuerung ermöglicht.
IGBT Technologie: Das Modul nutzt Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Technologie, die die Vorteile beider vereint MOSFET und Bipolartransistoren für verbesserte Leistung.
Eingebaute Diode: Das Modul verfügt über eine eingebaute Diode, die einen effizienten Freilauf ermöglicht und Schutz vor Rückströmen bietet.
Kompaktes Design: Das Modul ist in einem kompakten Paket konzipiert und ermöglicht eine einfache Installation und Integration in verschiedene Leistungselektroniksysteme.