GeneSiCMBRT60045在庫あり

データシート：MBRT60045〜600100R; スリータワーパッケージ図面; 標準パッケージ：25; カテゴリ：ディスクリート 半導体 製品; ファミリ：ダイオード整流器–モジュールシリーズ：-パッケージング：バルク; 電圧 –順方向（Vf）（最大）@ If：750mV @ 300A; 電流–逆漏れ@ Vr：1mA @ 20V電流–平均整流（Io）（ダイオードあたり）：600A（DC）電圧 – DC 逆 (Vr) (最大):45V逆回復時間 (trr):-ダイオード タイプ: ショットキー; 速度: 高速回復 = 200mA (Io) ダイオード構成: - 取り付けタイプ: シャーシ マウント。 パッケージ/ケース:Three Tower サプライヤー デバイス パッケージ:Three Tower 他の名前:MBRT60045GN #MBRT60045 GeneSiCMBRT60045スリータワーパッケージの新しい45V600Aシリコンショットキー整流器鉛フリー/ RoHS準拠、MBRT60045写真、MBRT60045価格、＃MBRT60045サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com

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メーカー部品番号：MBRT60045
Pbfreeコード：はい
パーツライフサイクルコード：アクティブ
Ihsメーカー：GENESIC 半導体 INC
パッケージの説明：R-PUFM-X3
メーカー：ジェネシック 半導体 （株）
リスクランク：5.54
アプリケーション：POWER
ケース接続：分離
構成：共通カソード、2つの要素
ダイオード エレメント材質：シリコン
ダイオードタイプ：RECTIFIER DIODE
順方向電圧-最大（VF）：0.75 V
JESD-30コード：R-PUFM-X3
非反復Pk順方向電流-最大：4000 A
要素数：2
フェーズ数：1
ターミナル数：3
動作温度-最大：150°C
動作温度-最小：-55°C
出力電流-最大：300 A
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：フランジマウント
担当者Pk逆電圧-最大：45 V
逆電流-最大：1000 µA
表面実装：いいえ
テクノロジー：ショットキー
ターミナルポジション：UPPER
45タワーパッケージの600VXNUMXAシリコンショットキー整流器鉛フリー/ RoHS準拠