NXPはGaNを5Gマルチチップモジュールにもたらします

NXP Semiconductorsは、窒化ガリウム(GaN)の統合による5Gエネルギー効率の主要な業界マイルストーンと言われているものを発表しました。 テクノロジー マルチチップに モジュール プラットフォームを提供します。

NXPは、GaNの高効率とコンパクトなマルチチップモジュールを組み合わせた5G大規模MIMO向けのRFソリューションを発表した最初の企業になりました。

マルチチップモジュールでGaNを使用することにより、エネルギー消費を大幅に削減することが可能であり、NXPは、52 GHzでラインナップ効率を2.6％に向上させることができたと述べています。これは、同社の前世代のモジュールよりも8ポイント高くなっています。 NXPはまた、単一のデバイスでLDMOSとGaNを独自に組み合わせることでパフォーマンスがさらに向上し、単一のパワーアンプで広帯域無線を設計できる400MHzの瞬時帯域幅を提供すると述べました。

このエネルギー効率と広帯域性能は、NXPの5Gマルチチップモジュールの小さな設置面積で利用できるようになりました。 このポートフォリオにより、RF開発者は無線ユニットのサイズと重量を削減できるようになり、モバイルネットワーク事業者がセルラータワーや屋上に5Gを導入するコストを削減できるようになります。

モジュールは単一のパッケージで、多段送信チェーン、50オームの入出力マッチングネットワーク、およびDohertyコンバイナーを統合し、NXPは最新のSiGeテクノロジーを使用してバイアス制御を追加しています。 これにより、個別のアナログ制御ICが不要になり、パワーアンプのパフォーマンスをより厳密に監視および最適化できます。

「NXPは、独自のLDMOS、GaN、SiGe、高度なパッケージング、RF設計IPを含む5Gインフラストラクチャ専用の独自のテクノロジーツールボックスを開発しました」と、NXPの無線電力ビジネスラインのエグゼクティブバイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーであるポールハートは述べています。 。 「これにより、各要素の利点を活用し、各ユースケースに最適な方法でそれらを組み合わせることができます。」

同社の前世代のモジュールと同様に、新しいデバイスはピンツーピン互換です。 RFエンジニアは、単一のパワーアンプ設計を複数の周波数帯域と電力レベルにわたって迅速に拡張できるため、設計サイクル時間が短縮され、世界中で5Gの展開が加速されます。