NXP đưa GaN lên mô-đun đa chip 5G

NXP Semiconductors đã công bố điều được mô tả là cột mốc quan trọng trong ngành về hiệu quả sử dụng năng lượng của 5G với sự tích hợp của Gallium Nitride (GaN) công nghệ đến đa chip của nó mô-đun nền tảng.

NXP đã trở thành công ty đầu tiên công bố các giải pháp RF cho 5G MIMO khổng lồ kết hợp hiệu quả cao của GaN với các mô-đun đa chip nhỏ gọn.

Bằng cách sử dụng GaN trong các mô-đun đa chip, có thể giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng và NXP đã nói rằng nó có thể tăng hiệu suất dòng sản phẩm lên 52% ở tốc độ 2.6 GHz - cao hơn 8 điểm phần trăm so với thế hệ mô-đun trước của công ty. NXP cũng cho biết họ đã cải thiện hiệu suất hơn nữa với sự kết hợp độc quyền của LDMOS và GaN trong một thiết bị duy nhất, cung cấp băng thông tức thời 400 MHz, giúp bạn có thể thiết kế radio băng rộng với một bộ khuếch đại công suất duy nhất.

Hiệu suất năng lượng và hiệu suất băng thông rộng này hiện có sẵn trong phần nhỏ của các mô-đun đa chip 5G của NXP. Danh mục đầu tư này sẽ cho phép các nhà phát triển RF giảm kích thước và trọng lượng của các đơn vị vô tuyến, giúp các nhà khai thác mạng di động giảm chi phí triển khai 5G trên các tháp di động và mái nhà.

Trong một gói duy nhất, các mô-đun tích hợp chuỗi truyền nhiều giai đoạn, mạng kết hợp vào / ra 50-ohm và bộ kết hợp Doherty và NXP hiện đang thêm kiểm soát thiên vị bằng cách sử dụng công nghệ SiGe mới nhất của mình. Điều này loại bỏ nhu cầu về một IC điều khiển tương tự riêng biệt và cung cấp khả năng giám sát chặt chẽ hơn và tối ưu hóa hiệu suất của bộ khuếch đại công suất.

“NXP đã phát triển một hộp công cụ công nghệ độc đáo dành riêng cho cơ sở hạ tầng 5G bao gồm LDMOS, GaN và SiGe độc ​​quyền, cũng như IP thiết kế RF và đóng gói tiên tiến,” Paul Hart, phó chủ tịch điều hành kiêm tổng giám đốc của Radio Power Business Line tại NXP cho biết . “Điều này cho phép chúng tôi tận dụng lợi ích của từng yếu tố và kết hợp chúng theo cách tối ưu nhất cho từng trường hợp sử dụng.”

Giống như thế hệ mô-đun trước đây của công ty, các thiết bị mới tương thích pin-to-pin. Các kỹ sư RF có thể nhanh chóng mở rộng quy mô thiết kế bộ khuếch đại công suất duy nhất trên nhiều dải tần số và mức công suất, giảm thời gian chu kỳ thiết kế và đẩy nhanh việc triển khai 5G trên toàn cầu.