導入： セミクロン SK35GAL12T4 IGBT モジュール コンパクトなデザインが特徴で、ネジ4本で簡単に取り付けられます。 直接銅結合された酸化アルミニウムセラミックの統合により、効果的な熱伝達と断熱が保証され、全体的なパフォーマンスが向上します。 このモジュールには最新の TrenchXNUMX IGBT が搭載されています テクノロジー Cal4F ダイオード テクノロジーは、パワー エレクトロニクスの分野で際立っています。
主な特長：
- コンパクト設計： モジュールのコンパクトな設計により、設置が容易になり、スペースに制約がある用途に最適です。
- XNUMX 本のネジ取り付け: ネジ XNUMX 本で簡単に取り付けられるため、手間のかからない迅速なセットアップが可能です。
- DCBテクノロジー: 熱伝達と絶縁は、直接銅結合された酸化アルミニウムセラミックによって最適化され、効率的なパフォーマンスを保証します。
- 高い短絡能力: このモジュールは高い短絡能力を誇り、さまざまな動作条件における信頼性と安全性を高めます。
- Trench4 IGBT テクノロジー: 革新的な Trench4 IGBT テクノロジーを活用したこのモジュールは、優れたパフォーマンスと効率を実現します。
- Cal4F ダイオード技術: Cal4F ダイオード技術の導入によりモジュールの機能がさらに強化され、パワー エレクトロニクスにおける堅牢なコンポーネントとなっています。
- VCE、sat 正の係数: 正の係数を持つ独自の VCE,sat は、モジュールの安定性と応答性に貢献します。
仕様：
- VCES (電圧コレクタ-エミッタ飽和): 1200V、Tj=25℃
- ICnom (公称コレクタ電流): 35A
- ICRM (反復ピークコレクタ電流): 105A (ICnomの3倍)
- VGES (ゲート-エミッタ間電圧): ± 20 V
- 保管温度： -40〜+ 175°C
- バイゾル (絶縁電圧): 2500V AC、正弦波、t=1 分
代表的なアプリケーション： Semikron SK35GAL12T4 IGBT モジュールは、次の点で優れたアプリケーション能力を発揮します。
- インバーター： 効率的で信頼性の高い電力変換を実現します。
- モータードライブ: モーター制御アプリケーションで最適なパフォーマンスを提供します。
結論： 結論として、セミクロン SK35GAL12T4 IGBT モジュールは、コンパクトな設計と高度なテクノロジーを組み合わせた、パワー エレクトロニクスの分野における強力な製品として浮上します。 インバーターやモータードライブにおける多用途なアプリケーションにより、電子システムの最適なパフォーマンスと信頼性を求めるエンジニアにとって頼りになる選択肢となっています。