Radboud University Nijmegen의 HFML(High Field Magnetic Laboratory)에서 테스트된 GHS-C 센서는 최대 30T의 자기장과 극저온(최저 1.5K)에서의 작동을 지원합니다.
센서는 이러한 조건에서 이전에 달성할 수 없었던 정확도를 제공하여 전체 측정 범위에서 1% 미만의 비선형성 오류를 유지합니다.
GHS-C 장치의 변형 자기장 측정 기능은 그래핀 덕분입니다. 감지기 집단.
그래핀 고유의 높은 전자 이동도는 전체 자기장 범위에 걸쳐 유지되는 고감도 기능으로 직접 변환되어 이러한 장치를 훨씬 더 간단하게 보정할 수 있습니다.
그래핀의 XNUMX차원적 특성은 또한 히스테리시스가 없고 평면 내 표유장에 대한 내성 없이 고품질의 반복 가능하고 정확한 데이터가 GHS-C 센서에 의해 제공된다는 것을 의미합니다.
이것은 필드 방향에 따라 다른 측정값을 생성하는 비대칭성을 입증한 기존의 홀 센서를 한 단계 더 뛰어넘는 것입니다.
GHS-C 제품군의 또 다른 장점은 매우 낮은 전력 작동으로 인해 전력 손실이
적합한 응용 프로그램의 예로는 저온 양자 컴퓨팅, 차세대 MRI 시스템의 고전장 자석 모니터링, 핵융합 에너지 장 제어, 입자 가속기 및 기타 과학 및 의료 기기가 있습니다.
센서는 또한 양자 물리학 연구, 초전도 및 스핀트로닉스와 같은 기본 물리학 실험에 직접 사용할 수 있습니다.
이미지: Paragraf – 이미지는 GHS-C를 테스트하는 데 사용되는 37 T 자석을 보여줍니다(오른쪽). 내부에 삽입된 저온 유지 장치와 가변 온도, 측정 전자 장치 및 가스 처리 시스템(왼쪽)