르네사스 HZU6.2B3TRF-E 재고 있음

업데이트: 6년 2024월 XNUMX일 태그 :전자ictechnology

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이메일 : sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/hzu62b3trf-e.html

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제조업체 부품 번호: HZU6.2B3TRF-E
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조업체 : RENESAS ELECTRONICS CORP
패키지 설명 : R-PDSO-G2
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8541.10.00.50
제조업체 : Renesas Electronics Corporation
위험 순위 : 5.36
구성 : 단일
다이오드 소자 재질 : SILICON
다이오드 유형 : ZENER DIODE
동적 임피던스-최대 : 50Ω
JESD-30 코드 : R-PDSO-G2
JESD-609 코드 : e6
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 1
터미널 수 : 2
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 : 단방향
최대 전력 손실 : 0.2W
자격 상태 : 자격 없음
참조 전압-Nom : 6.395V
하위 카테고리 : 전압 기준 다이오드
표면 실장 : 예
Technology: 제너
터미널 마감 : TIN BISMUTH
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
6.395V, 0.2W, 실리콘, 단방향 전압 레귤레이터 다이오드