EBV operando cum Infineon ut carbidam technologiae incisurae pii incisuras eriperet

EBV Elektronik arctius cum Infineon laborat ut mercatum crescens evolveret pro carbide Pii fabricatoris (SiC) innixa CoolSiC Technology.

Technologia CoolSiC complura beneficia perfert ad machinas excogitandas systemata virtutis provectae per amplam selectionem sectorum et applicationum mercatus et Infineon et EBV, dixit se cooperaturos esse ut acceleret instruere energiae efficientis technologias utentes CoolSiC technologias.

Silius carbide aliquas magnas utilitates in usum Pii traditum eripere potest, etiam in altioribus voltage operatio, amplior operandi temperatura iugis et frequentiae commutationes altiores.

Infineon's CoolSiC technologiae in his inhaerentia commoda aedificare spectat et varias applicationes oppugnare adhibita est ut invectiones altilium, inverters photovoltaici, motores impulsus, energiae repositiones et commeatus potentiae. Portfolio de iugis CoolSiC diodis substructis et discretis mosfets hybrid et plenus Sic modulorum.

Sicut pars cooperationis inter duas turmas et in promptu solum ab Avnet et EBV est aestimatio tabulae viscus (EVAL-1ED3122MC12H-SiC) ab Infineon quod ordinatum est ad machinas et tinctiones comparandas cum simplici via ad celeriter explorandum. facultates technologiae CoolSiC. Tabula usui parata est ad perpendendas faciendos 650V vel 1200V CoolSiC MOSFETs, quae soliditatem ad tabulam secundum applicationis usoris postulabit.

Notae notae tabulae includunt CoolSiC MOSFETs in configuratione dimidia pontis constituto, una cum onboard optimized 1ED-X3 familiae galvanice solitariae 10A portarum rectorum, et potentiae solitariae copiam circuitionis ad voltages requisitam praebendam.

Extensiva institutionis institutio, ad machinarum systemata vim designandam, intra compagem huius cooperationis praesto sunt.