EBV сотрудничает с Infineon в разработке передовых технологий карбида кремния

EBV Elektronik будет тесно сотрудничать с Infineon в целях развития растущего рынка для CoolSiC на основе карбида кремния (SiC). technology.

Технология CoolSiC предоставляет ряд преимуществ инженерам, разрабатывающим передовые системы питания в широком диапазоне секторов рынка и приложений, и Infineon и EBV заявили, что они будут сотрудничать, чтобы ускорить развертывание энергоэффективных устройств питания с использованием технологий CoolSiC.

Карбид кремния обладает некоторыми важными преимуществами по сравнению с традиционным использованием кремния, в том числе более высокой. напряжение эксплуатации, более широкие диапазоны рабочих температур и более высокие частоты переключения.

Технология Infineon CoolSiC призвана развить эти неотъемлемые преимущества и использовалась для решения различных задач, таких как зарядка аккумуляторов, фотоэлектрические инверторы, моторные приводы, накопители энергии и источники питания. Ассортимент CoolSiC включает диоды на основе SiC и дискретные МОП-транзисторы к гибридным и полным модулям SiC.

В рамках сотрудничества между двумя компаниями и доступна исключительно у Avnet и EBV оценочная плата начального уровня (EVAL-1ED3122MC12H-SiC) от Infineon, которая была разработана, чтобы предоставить инженерам и разработчикам простой способ быстро опробовать возможности технологии CoolSiC. Плата готова к использованию для оценки производительности полевых МОП-транзисторов CoolSiC 650 В или 1200 В, которые потребуют пайки к плате в зависимости от приложения пользователя.

Ключевые особенности платы включают полевые МОП-транзисторы CoolSiC, организованные в полумостовую конфигурацию, а также оптимизированное на плате семейство одноканальных гальванически развязанных драйверов затвора на 1 А 3ED-X10 и изолированную схему источника питания для обеспечения требуемых напряжений.

В рамках этого сотрудничества доступны обширные программы обучения для инженеров, занимающихся проектированием энергосистем.