Fast p-type oxydatum semiconductor in vitam cum liquido metallo involutus

Duo dimensiva beta-tellurite est Gallium, posita per globulum tellurium fusile et selenium per substratum volvendo.

"Haec summus mobilitas p-typus oxydatum crucialem lacunam implet in spectro materiarum ut circulos rapidos perlucidos efficiat", dux Torben Daeneke de Arco Centro excellentiae in Future Low-Energy Electronics Technologiae ('Fleet') dixit.

Anno 2018, studium computationale patefecit oxydatum beta-telluritum (β-TeO .)₂) oxydatum p-typus erat, cum tellurii loco peculiari in mensa periodica, secundum RMIT University, oxydatum suum cum proprietatibus singulariter utilibus praebens — Classis est organisatio umbellae, cui Universitas RMIT (Institutum Regium Melbourne Technology Universitatis) collator.

"Haec praedictio coetus nostros in RMIT Universitate adhortatus est ut suas proprietates et applicationes exploraret", Torben Daeneke, Classis inquisitor socia, dixit.

Turma Daeneke solitudo betae-telluritae demonstrata est cum technicis usitatis evolutae synthesi quae liquido chemiae metallico nititur.

Synthesis involvit mixturam fusilem tellurii et selenium super superficiem - laganum oxidised in hoc casu.

Dolor ambiens in aere naturaliter tenuem superficiem oxydatum stratum beta-tellurite in guttam format, et hoc iacuit oxydatum superficiei sicut stillicidium involutum haeret.

"Processus similis tractus est: uteris virga vitrea ut calamum et metallum liquidum atramentum tuum est", RMIT indagator Patjaree Aukarasereenont dixit.

Selenium est in mixto liquefacto ad punctum ejus liquefactum — tellurium purum solidum est usque ad >500°C, desiderabile autem β telluritae tempus tantum crescit in <300°C.

Effectus est schedae telluritae 1.5nm crassae - tantum pauca atomorum - quae trans spectrum aspectabile perspicuum est sicut fascia 3.7eV.

FETs ex materia ficta ostendit p-type mutandi foraminis mobilitatem de ~140cm²/Vs "ostens beta-tellurite" esse decem ad centies velocius quam semiconductores oxydi oxydi p-type existentes", dixit Aukarasereenont. "De in / off ratio per X"⁶ materiam virtutem efficiens celeriterque machinas aptum esse testatur.'

Opus editum est ut 'Mobilitas Excelsa p-typus semiconducting duo dimensiva β-TeO₂Editum est in Natura Electronics (solum abstractum sine solutione available).

Secundum chartam, mobilitas agri-effectus foraminis usque ad 232 cm²/Vs ad cella temperies, foramen efficax moles erat 0.51 et, refrigerando ad 50°C, ferebat mobilitatem ad 6,000cm boosted²/Vs.

Classis inquisitores RMIT, Australian National University Canberra et University of New South Wales Kensington laboraverunt in Universitate Deakin et Universitate Melbourne.