Sales Email: sales@shunlongwei.com
Manufacturer Pars Number: 1DI300ZN-120
Sarcina Description: Mons Flange, R-PUFM-X5
Manufacturer: Fuji
Collector Current-Max (IC) : 300 A
Collector-Emitte voltage-Max: M V
Configurationis: Darlington, 3 transistores cum constructo-in diode et resistor
DC Current Lucrum-Min (hFE): 100
Fall Time-Max (tf): MMD ns
JESD-30 Codex: R-PUFM-X5
Elementa autem Number: I
Numerus terminales: VII
Sarcina Corpus Material: Plastic / epoxy
Sarcina Figura: Rectangulare
Sarcina Style: Monte Flange
Veritatem / Channel Type: NPN
Potestas dissolutionis Ambient-Max: 2000 W
Potestas Dissipation-Max (Absolute): 2000 W
Time-Max (tr): 3000 ns
Subcategoria: Propositum Generalis Power Bipolar
Superficiem montem: No
Terminatio Position: Superius
Gallium Materia elementum: Silicon
Turn-off Time-Max (toff): 17000 ns
Turn-on Time-Max (ton): 3000 ns
Haec potestas bipolar Galliume parte numeri 1DI300ZN-120, fabricatur a Fuji. Disposita est in sarcina montis LABRICAE cum codice JESD-30 R-PUFM-X5. Translator features maximum collector current (IC) of 300 A ac maximum collectorem emittentem voltage de MCC V. Configuratur transistor Darlington cum 1200 transistoribus ac etiam in diode constructo resistor.
Transitus minimum DC quaestui currenti (hFE) ex 100 et maximo casu temporis (tf) 2000 ns habet. Unum elementum habet et in sarcina clavum 5 venit. Involucrum corporis materia e materia plastica/epoxy conficitur, et forma eius rectangula est cum stilo LABRIC montis. Transistor in NPN verticitatem / canalem typum operatur.
Potentiam ambientium maximam dissipationis 2000 W habet et maximam potentiam absolutam dissipationis 2000 W. Tempus ortum (tr) cum maximo 3000 ns specificatur. Sub subcategoria consilii generalis transistores potestatis bipolaris cadit. Non ordinatur ad applicationes superficies montis et situm superiorem terminum habet. Materia transistor elementum Pii est.