Vertriebs-E-Mail: sales@shunlongwei.com
Hersteller-Teilenummer: 1DI300ZN-120
Paketbeschreibung: Flanschmontage, R-PUFM-X5
Hersteller: Fuji
Kollektorstrom-Max (IC): 300 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1200 V.
Konfiguration: Darlington, 3 Transistoren mit eingebauter Diode und Widerstand
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 100
Fallzeit-Max (tf): 2000 ns
JESD-30-Code: R-PUFM-X5
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 5
Material des Gehäusekörpers: Kunststoff/Epoxidharz
Verpackungsform: Rechteckig
Verpackungsart: Flanschmontage
Polarität / Kanaltyp: NPN
Verlustleistung Ambient-Max: 2000 W.
Maximale Verlustleistung (absolut): 2000 W
Anstiegszeit-Max (tr): 3000 ns
Unterkategorie: Bipolare Stromversorgung für allgemeine Zwecke
Oberflächenmontage: Nein
Terminalposition: Oben
Transistor Elementmaterial: Silizium
Ausschaltzeit-Max (Ausschalten): 17000 ns
Einschaltzeit-Max (Tonne): 3000 ns
Diese Macht ist bipolar Transistor, mit der Teilenummer 1DI300ZN-120, wird von Fuji hergestellt. Es ist in einem Flanschmontagegehäuse mit dem JESD-30-Code R-PUFM-X5 konzipiert. Der Transistor weist einen maximalen Kollektorstrom auf (IC) von 300 A und einem maximalen Kollektor-Emitter Spannung von 1200 V. Er ist als Darlington-Transistor mit 3 Transistoren konfiguriert und verfügt außerdem über eine eingebaute Diode und Widerstand.
Der Transistor hat eine minimale Gleichstromverstärkung (hFE) von 100 und eine maximale Abfallzeit (tf) von 2000 ns. Es besteht aus einem einzigen Element und wird in einem 5-Pin-Gehäuse geliefert. Das Gehäusematerial des Gehäuses besteht aus Kunststoff/Epoxidharz und seine Form ist rechteckig mit Flanschmontage. Der Transistor arbeitet im NPN-Polaritäts-/Kanaltyp.
Es hat eine maximale Umgebungsverlustleistung von 2000 W und eine maximale absolute Verlustleistung von 2000 W. Die Anstiegszeit (tr) wird mit maximal 3000 ns angegeben. Er fällt in die Unterkategorie der Allzweck-Leistungsbipolartransistoren. Es ist nicht für Oberflächenmontageanwendungen konzipiert und verfügt über eine obere Anschlussposition. Das Material des Transistorelements ist Silizium.