Sales Email: sales@shunlongwei.com
FUJI 7MBI40N-120 novum est IGBT (Bipolar insulae portae Gallium) cum sequentibus features et maximam ratings:
Features:
1.Including fregit Chopper: The IGBT cum fractura chopparis instructa est, quae sinit efficiens fracturam et temperantiam in applicationibus quae id requirunt.
2.Square RBSOA: The IGBT Reverse Bias Tutus Operating Area (RBSOA), quae certam ac tutam operationem efficit sub adversa condicione condiciones.
3.Low satietatem voltage: Quod IGBT exhibet humilis satietatem voltageducens ad damna potentiae reductae et efficaciam in amplificando summus potentiae applicationes.
4.Overcurrent Limitatio Function: Fabrica incorporat munus limitandi supercurrentem, sino eam 4 ad 5 tempora hodiernam caute aestimatam tractare.
Maximum Ratings et Characteres (Tc=25°C nisi aliud certum);
1. Collector-Emitter Voltage Vces: 1200V - Haec est maxima intentione quae inter collectorem et terminos emittere potest applicari.
2. Gate-Emitte Voltage VGES: ±20V - Concessum voltage range inter portam et terminales emittere.
3.Collector Current IC: 40A - Maximus continuus publicanus currentis quem IGBT tractare potest.
4. Collector Current Icp: 80A - Collector maxime pulsatur current, typice pro brevibus durationibus.
5. Collector Potentiae Dissipationis Pc: 320W – Maxima potestas quam IGBT dissipare potest sine limitibus scelerisque excedentibus.
6. Collector-Emitte Voltage VCES: 2500V - Hoc refertur ad maximam intentionem quae applicari potest inter collectorem et terminales emittere sub condicionibus transeuntibus.
7.Operantis Junction Temperature Tj: +150°C - Maximam temperiem ut commissura IGBT per normalem operationem attingere possit.
8. Storage Temperature Tstg: -40 ad +125°C - Temperatura range intra quam IGBT tuto condi potest.
9.Mounting Screw Torque: 3.5*1 N·m - torques suadeo ut IGBT cochleis adscendendis studeatur.