Vendas Email: sales@shunlongwei.com
A FUJI 7MBI40N-120 é uma nova IGBT (portão isolado bipolar Transistor) com as seguintes características e classificações máximas:
Características:
1. Incluindo Chopper de Freio: O IGBT está equipado com um chopper de travagem, que permite uma travagem e controlo eficientes em aplicações que o exijam.
2.Quadrado RBSOA: O IGBT possui uma área de operação segura de polarização reversa (RBSOA) em formato quadrado, que garante operação confiável e segura sob condições de polarização reversa.
3.Baixa saturação Voltagem: O IGBT exibe baixa saturação Voltagem, levando a perdas de energia reduzidas e maior eficiência em aplicações de alta potência.
4.Função de limitação de sobrecorrente: O dispositivo incorpora uma função de limitação de sobrecorrente, permitindo que ele manipule 4 a 5 vezes a corrente nominal com segurança.
Classificações e características máximas (Tc=25°C, a menos que especificado de outra forma):
1. Tensão Coletor-Emissor Vces: 1200 V – Esta é a tensão máxima que pode ser aplicada entre os terminais coletor e emissor.
2.Tensão do emissor-porta VGES: ±20V – A faixa de tensão permitida entre os terminais do gate e do emissor.
3. Corrente do Coletor IC: 40A – A corrente contínua máxima do coletor que o IGBT pode suportar.
4.Collector Current Icp: 80A – A corrente pulsada máxima do coletor, normalmente por curtos períodos.
5.Dissipação de potência do coletor Pc: 320W – A potência máxima que o IGBT pode dissipar sem ultrapassar seus limites térmicos.
6. Tensão Coletor-Emissor VCES: 2500V – Refere-se à tensão máxima que pode ser aplicada entre os terminais coletor e emissor em condições transitórias.
7. Temperatura de operação da junção Tj: +150°C – A temperatura máxima que a junção do IGBT pode atingir durante a operação normal.
8.Temperatura de armazenamento Tstg: -40 a +125°C – A faixa de temperatura dentro da qual o IGBT pode ser armazenado com segurança.
9. Torque do parafuso de montagem: 3.5*1 N·m – O torque recomendado para prender o IGBT usando parafusos de montagem.