A quadrigis investigationis ductus a Professore Jang-Sik Lee of Pohang University of Science and Technology (POSTECH) halide perovskite fundatam memoriam cum velocitate ultra-celeriter mutandi feliciter amplificavit.
Commutatio resistens memoria est promissum concertatorem memoriae memoriae generationis proximae propter utilitates structurae simplicis et potentiae humilis consummationis. Variae materiae antea mutandae memoriae resistentiae studuerunt. Inter eos, halide perovskitae multam attentionem pro usu in memoria accipiunt propter intentionem humilem et altam rationem. Sed halide perovskite-substructio memoriae machinis subnixa limites habent velocitatis mutandi tardae, quae praxim applicationis in machinis memoriae impediunt.
Ad hunc finem, investigatores apud POSTECH (Prof. Jang-Sik Lee, Prof. Donghwa Lee, Youngjun Park, et Seong Hun Kim) feliciter elaboraverunt ultra-celeriter mutans cogitationes memoriae utentes halide perovskites utendo composita methodo principiorum primorum. calculis et experimentis verificationis. Ex summa 696 compositorum candidatorum perovskitarum halidis, Cs3Sb2I9 ad structuram dimericam delectus est ut optimam applicationis memoriam candidatum. Ad calculi proventus comprobandum, cogitationes memoriae dimer-Cs structae utentes3Sb2I9 conficta sunt. Tunc operati sunt cum velocitate mutandi velocitatis 20 um ultra-celeriter, quae plus quam 100 vicibus velocior fuit quam memoria machinis quae cs lavacro structuris utebantur.3Sb2I9. Multae praeterea perovskitarum plumbi (Pb) continent materias quae in fluxu suscitatae sunt. In hoc autem opere usus liberi perovskitae plumbi huiusmodi difficultates environmental excludit.
"Hoc studium magnum gradum praebet ad progressionem memoriae mutandi resistentiae, quae in cursu mutandi ultra-celeriter agi potest", Professor Lee de significatione investigationis notavit. Addidit "hoc opusculo occasionem praebet ad novas materias designandi" memoriae cogitationes secundum rationes et experimentum verificationis. "