Pohang Bilim Üniversitesi'nden Profesör Jang-Sik Lee liderliğindeki bir araştırma ekibi ve Teknoloji (POSTECH), ultra hızlı anahtarlama hızına sahip halojenür perovskit tabanlı belleği başarıyla geliştirdi.
Dirençli anahtarlama belleği, basit yapısı ve düşük güç tüketimi avantajları nedeniyle yeni nesil bellek cihazları için umut verici bir rakiptir. Dirençli anahtarlama belleği için daha önce çeşitli malzemeler üzerinde çalışılmıştı. Bunlar arasında halojenür perovskitlerin, düşük çalışma voltajı ve yüksek açma/kapama oranı nedeniyle bellekte kullanımı büyük ilgi görmektedir. Bununla birlikte, halojenür perovskit bazlı bellek cihazlarının yavaş anahtarlama hızı sınırlamaları vardır ve bu da bunların hafıza cihazlarında pratik uygulanmasını engeller.
Bu amaçla, POBTEK'teki araştırmacılar (Prof. Jang-Sik Lee, Prof. Donghwa Lee, Youngjun Park ve Seong Hun Kim), ilk prensiplerin birleştirilmiş bir yöntemini kullanarak halojenür perovskitleri kullanan ultra hızlı anahtarlamalı bellek cihazlarını başarıyla geliştirdiler. hesaplamalar ve deneysel doğrulama. Toplam 696 halojenür perovskit adayı bileşiğinden Cs3Sb2I9 Dimer yapısına sahip bellek uygulaması için en iyi aday olarak seçildi. Hesaplama sonuçlarını doğrulamak için dimer yapılı C'leri kullanan bellek cihazları3Sb2I9 uyduruldu. Daha sonra 20 ns'lik ultra yüksek anahtarlama hızıyla çalıştırıldılar; bu, katman yapılı C'leri kullanan bellek aygıtlarından 100 kat daha hızlıydı.3Sb2I9. Ayrıca perovskitlerin birçoğunun, sorun olarak gündeme getirilen materyallerde kurşun (Pb) içerdiği belirtiliyor. Ancak bu çalışmada kurşunsuz perovskitin kullanılması bu tür çevresel sorunları ortadan kaldırmaktadır.
Profesör Lee, araştırmanın önemi hakkında şunları söyledi: "Bu çalışma, ultra yüksek anahtarlama hızında çalıştırılabilen dirençli anahtarlama belleğinin geliştirilmesine yönelik önemli bir adım sağlıyor." "Bu çalışma yeni malzemeler tasarlama fırsatı sunuyor" dedi. bellek hesaplamalara ve deneysel doğrulamaya dayalı cihazlar.